| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 58961 | 2SJ0536 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 58962 | 2SJ0536G | Silizium P-Kanal-MOSFET | Panasonic |
| 58963 | 2SJ0582 | Starkstromgerät - Energie MOS FETs | Panasonic |
| 58964 | 2SJ0672 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 58965 | 2SJ0674 | Silizium P-Kanal-MOS-FET | Panasonic |
| 58966 | 2SJ0674G | Silizium P-Kanal-MOS-FET | Panasonic |
| 58967 | 2SJ0675 | Silizium P-Kanal-MOSFET | Panasonic |
| 58968 | 2SJ103 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 58969 | 2SJ104 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 58970 | 2SJ105 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 58971 | 2SJ106 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Konstante Gegenwärtige Anwendungen Widerstand-Konverter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 58972 | 2SJ107 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 58973 | 2SJ108 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 58974 | 2SJ109 | P CAHNNEL VERZWEIGUNG ART (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-DIFFERENTIALVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 58975 | 2SJ113 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58976 | 2SJ113 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58977 | 2SJ115 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58978 | 2SJ115 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58979 | 2SJ116 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58980 | 2SJ116 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58981 | 2SJ117 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 58982 | 2SJ118 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58983 | 2SJ118 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58984 | 2SJ119 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58985 | 2SJ119 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
| 58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 bis -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 58987 | 2SJ128 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
| 58988 | 2SJ128-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
| 58989 | 2SJ130 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 58990 | 2SJ130(L) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58991 | 2SJ130(L)/(S) | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 58992 | 2SJ130(S) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58993 | 2SJ130L | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58995 | 2SJ130S | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58997 | 2SJ132 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
| 58998 | 2SJ132-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
| 58999 | 2SJ133 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
| 59000 | 2SJ133-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
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