| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 601281 | K6R1004C1D-JC(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601282 | K6R1004C1D-JC(I)10_12 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 601283 | K6R1004C1D-JC(I)12 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601284 | K6R1004C1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601285 | K6R1004C1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601286 | K6R1004C1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601287 | K6R1004C1D-KI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601288 | K6R1004V1D | 256K x лист 4 данным по рядка cmos
статический RAM(3.3V высокой скорости бита (с /OE) работая)
отборный | Samsung Electronic |
| 601289 | K6R1004V1D-JC(I)08 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601290 | K6R1004V1D-JC(I)08_10 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 601291 | K6R1004V1D-JC(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601292 | K6R1004V1D-JC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601293 | K6R1004V1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601294 | K6R1004V1D-JI08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601295 | K6R1004V1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601296 | K6R1004V1D-KC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601297 | K6R1004V1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601298 | K6R1004V1D-KI08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601299 | K6R1004V1D-KI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 601300 | K6R1008C1A | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601301 | K6R1008C1A | -128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая, революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601302 | K6R1008C1A-C12 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601303 | K6R1008C1A-C15 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601304 | K6R1008C1A-C20 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601305 | K6R1008C1A-I12 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601306 | K6R1008C1A-I15 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601307 | K6R1008C1A-I20 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 601308 | K6R1008C1A-JC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 601309 | K6R1008C1A-JC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 601310 | K6R1008C1A-JC20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 601311 | K6R1008C1A-JI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 601312 | K6R1008C1A-JI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 601313 | K6R1008C1A-JI20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 601314 | K6R1008C1A-TC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 601315 | K6R1008C1A-TC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 601316 | K6R1008C1A-TC20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 601317 | K6R1008C1A-TI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 601318 | K6R1008C1A-TI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 601319 | K6R1008C1A-TI20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 601320 | K6R1008C1B | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| | | |
