| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 67761 | 3DF0T10 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67762 | 3DF0T12 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67763 | 3DF0T15 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67764 | 3DF0T18 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67765 | 3DF0T22 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67766 | 3DF0T27 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67767 | 3DF0T33 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67768 | 3DF0T39 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67769 | 3DF0T47 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67770 | 3DF0T56 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67771 | 3DF0T68 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67772 | 3DF0T82 | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67773 | 3DFO | Низкие Конденсаторы Диска Фактора Диссипации | Vishay |
| 67774 | 3DL41 | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТИП СОЕДИНЕНИЯ (ПРИМЕНЕНИЯ
ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 67775 | 3DL41A | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТИП СОЕДИНЕНИЯ (ПРИМЕНЕНИЯ
ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 67776 | 3DNOW | 3DNOW! Руководство Технологии | Advanced Micro Devices |
| 67777 | 3DNOW AND MMX | Выдвижения AMD к 3DNow! и MMX
комплекты инструкции ручные | Advanced Micro Devices |
| 67778 | 3DS16-325 | 512K x 32 работать cmos статический
RAM-5.0V высокой скорости бита | 3D PLUS |
| 67779 | 3DS16-325SC-15 | 512K x 32 работать cmos статический
RAM-5.0V высокой скорости бита | 3D PLUS |
| 67780 | 3DS16-325SC-20 | 512K x 32 работать cmos статический
RAM-5.0V высокой скорости бита | 3D PLUS |
| 67781 | 3DS16-325SI-15 | 512K x 32 работать cmos статический
RAM-5.0V высокой скорости бита | 3D PLUS |
| 67782 | 3DS16-325SI-20 | 512K x 32 работать cmos статический
RAM-5.0V высокой скорости бита | 3D PLUS |
| 67783 | 3DSD1280-323H | 1.28 DRAM GBit одновременный -
герметичный пакет | 3D PLUS |
| 67784 | 3DSD1280-883D-S | 1.28 DRAM GBit одновременный -
герметичный пакет | 3D PLUS |
| 67785 | 3DSD1280-PROTO | 1.28 DRAM GBit одновременный -
герметичный пакет | 3D PLUS |
| 67786 | 3DU41 | ТИП ОТРАЖЕННЫЙ КРЕМНИЕМ (ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ
ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 67787 | 3DZ41 | ТИП ОТРАЖЕННЫЙ КРЕМНИЕМ (ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
ПРИМЕНЕНИЯ RECTFIER) | TOSHIBA |
| 67788 | 3EZ | ДИОДЫ КРЕМНИЯ ZENER | EIC discrete Semiconductors |
| 67789 | 3EZ1 | Кремни-Сил-З-Diody (нон-ploskostna4
технология) | Diotec Elektronische |
| 67790 | 3EZ10 | Кремни-Сил-З-Diody (нон-ploskostna4
технология) | Diotec Elektronische |
| 67791 | 3EZ100 | КРЕМНИЙ ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ СОЕДИНЕНИЯ
ZENER вольты силы DIODES(VOLTAGE- 11 до 200 -
3.0 ватт) | Panjit International Inc |
| 67792 | 3EZ100 | Кремни-Сил-З-Diody (нон-ploskostna4
технология) | Diotec Elektronische |
| 67793 | 3EZ100 | ЗАПАССИВИРОВАННОЕ СТЕКЛОМ ZENER DIODE
КРЕМНИЯ СОЕДИНЕНИЯ | TRSYS |
| 67794 | 3EZ100 | 100 В, 3 Вт, стекло пассивированы перехода кремния стабилитрон | TRANSYS Electronics Limited |
| 67795 | 3EZ100D | 3 Вт, кремния стабилитрон. Номинальное напряжение 100 В, ток 7,5 мА, + допуск -20%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67796 | 3EZ100D1 | 3 Вт, кремния стабилитрон. Номинальное напряжение 100 В, ток 7,5 мА, + допуск -1%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67797 | 3EZ100D1 | 3 Вт Surmetic 30 кремния стабилитрон. Nom стабилитрон напряжение 100 В. 1% допуска. | Motorola |
| 67798 | 3EZ100D10 | 3 Вт, кремния стабилитрон. Номинальное напряжение 100 В, ток 7,5 мА, + допуск -10%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67799 | 3EZ100D10 | 3 Вт Surmetic 30 кремния стабилитрон. Nom стабилитрон напряжение 100 В. 10% допуска. | Motorola |
| 67800 | 3EZ100D2 | 3 Вт, кремния стабилитрон. Номинальное напряжение 100 В, ток 7,5 мА, + допуск -2%. | Jinan Gude Electronic Device |
| | | |
