| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 67761 | 3DF0T10 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67762 | 3DF0T12 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67763 | 3DF0T15 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67764 | 3DF0T18 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67765 | 3DF0T22 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67766 | 3DF0T27 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67767 | 3DF0T33 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67768 | 3DF0T39 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67769 | 3DF0T47 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67770 | 3DF0T56 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67771 | 3DF0T68 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67772 | 3DF0T82 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67773 | 3DFO | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 67774 | 3DL41 | TYPE ÉPITAXIAL DE JONCTION (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 67775 | 3DL41A | TYPE ÉPITAXIAL DE JONCTION (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 67776 | 3DNOW | 3DNOW! Manuel De Technologie | Advanced Micro Devices |
| 67777 | 3DNOW AND MMX | Prolongements d'cAmd au 3DNow! et MMX ensembles d'instruction manuels | Advanced Micro Devices |
| 67778 | 3DS16-325 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 67779 | 3DS16-325SC-15 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 67780 | 3DS16-325SC-20 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 67781 | 3DS16-325SI-15 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 67782 | 3DS16-325SI-20 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 67783 | 3DSD1280-323H | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 67784 | 3DSD1280-883D-S | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 67785 | 3DSD1280-PROTO | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 67786 | 3DU41 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 67787 | 3DZ41 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM (APPLICATIONS TOUT USAGE DE RECTFIER) | TOSHIBA |
| 67788 | 3EZ | DIODES ZENER DE SILICIUM | EIC discrete Semiconductors |
| 67789 | 3EZ1 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 67790 | 3EZ10 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 67791 | 3EZ100 | SILICIUM ZENER volts de puissance de Diodes(voltage- 11 à 200 de JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE - 3,0 watts) | Panjit International Inc |
| 67792 | 3EZ100 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 67793 | 3EZ100 | DIODE ZENER DE SILICIUM DE JONCTION PASSIVÉE PAR VERRE | TRSYS |
| 67794 | 3EZ100 | 100 V, 3 W, diode Zener verre passive jonction de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
| 67795 | 3EZ100D | W 3, la diode Zener de silicium. Tension nominale de 100 V, courant de 7,5 mA, + tolérance de -20%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67796 | 3EZ100D1 | W 3, la diode Zener de silicium. Tension nominale de 100 V, courant de 7,5 mA, + tolérance de -1%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67797 | 3EZ100D1 | 3 watt Surmetic diode Zener 30 de silicium. Nom tension zener de 100 V. tolérance de 1%. | Motorola |
| 67798 | 3EZ100D10 | W 3, la diode Zener de silicium. Tension nominale de 100 V, courant de 7,5 mA, + tolérance de -10%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67799 | 3EZ100D10 | 3 watt Surmetic diode Zener 30 de silicium. Nom tension zener de 100 V. de tolérance de 10%. | Motorola |
| 67800 | 3EZ100D2 | W 3, la diode Zener de silicium. Tension nominale de 100 V, courant de 7,5 mA, + tolérance -2%. | Jinan Gude Electronic Device |
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