| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 67761 | 3DF0T10 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67762 | 3DF0T12 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67763 | 3DF0T15 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67764 | 3DF0T18 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67765 | 3DF0T22 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67766 | 3DF0T27 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67767 | 3DF0T33 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67768 | 3DF0T39 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67769 | 3DF0T47 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67770 | 3DF0T56 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67771 | 3DF0T68 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67772 | 3DF0T82 | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67773 | 3DFO | Condensatori Bassi Del Disco Di Fattore Di Dispersione | Vishay |
| 67774 | 3DL41 | TIPO EPITASSIALE DELLA GIUNZIONE (APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 67775 | 3DL41A | TIPO EPITASSIALE DELLA GIUNZIONE (APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 67776 | 3DNOW | 3DNOW! Manuale Di Tecnologia | Advanced Micro Devices |
| 67777 | 3DNOW AND MMX | Estensioni di AMD al 3DNow! e MMX insiemi delle istruzioni manuali | Advanced Micro Devices |
| 67778 | 3DS16-325 | 512K x 32 funzionamento statico ad alta velocitŕ di CMOS RAM-5.0V del bit | 3D PLUS |
| 67779 | 3DS16-325SC-15 | 512K x 32 funzionamento statico ad alta velocitŕ di CMOS RAM-5.0V del bit | 3D PLUS |
| 67780 | 3DS16-325SC-20 | 512K x 32 funzionamento statico ad alta velocitŕ di CMOS RAM-5.0V del bit | 3D PLUS |
| 67781 | 3DS16-325SI-15 | 512K x 32 funzionamento statico ad alta velocitŕ di CMOS RAM-5.0V del bit | 3D PLUS |
| 67782 | 3DS16-325SI-20 | 512K x 32 funzionamento statico ad alta velocitŕ di CMOS RAM-5.0V del bit | 3D PLUS |
| 67783 | 3DSD1280-323H | 1.28 DRAM sincrono di GBit - pacchetto ermetico | 3D PLUS |
| 67784 | 3DSD1280-883D-S | 1.28 DRAM sincrono di GBit - pacchetto ermetico | 3D PLUS |
| 67785 | 3DSD1280-PROTO | 1.28 DRAM sincrono di GBit - pacchetto ermetico | 3D PLUS |
| 67786 | 3DU41 | TIPO DIFFUSO SILICONE (APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 67787 | 3DZ41 | TIPO DIFFUSO SILICONE (APPLICAZIONI PER TUTTI GLI USI DI RECTFIER) | TOSHIBA |
| 67788 | 3EZ | DIODI ZENER DEL SILICONE | EIC discrete Semiconductors |
| 67789 | 3EZ1 | Silicone-Alimentazione-Z-Diodi (tecnologia non-planare) | Diotec Elektronische |
| 67790 | 3EZ10 | Silicone-Alimentazione-Z-Diodi (tecnologia non-planare) | Diotec Elektronische |
| 67791 | 3EZ100 | SILICONE ZENER di alimentazione di Diodes(voltage- 11 - 200 della GIUNZIONE PASSIVATO VETRO volt - 3,0 watt) | Panjit International Inc |
| 67792 | 3EZ100 | Silicone-Alimentazione-Z-Diodi (tecnologia non-planare) | Diotec Elektronische |
| 67793 | 3EZ100 | DIODO ZENER DEL SILICONE DELLA GIUNZIONE PASSIVATO VETRO | TRSYS |
| 67794 | 3EZ100 | 100 V, 3 W, vetro passivata giunzione di silicio diodo Zener | TRANSYS Electronics Limited |
| 67795 | 3EZ100D | 3 W, silicio diodo zener. Tensione nominale 100 V, corrente di 7,5 mA, + tolleranza -20%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67796 | 3EZ100D1 | 3 W, silicio diodo zener. Tensione nominale 100 V, corrente di 7,5 mA, + tolleranza di -1%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67797 | 3EZ100D1 | 3 watt Surmetic 30 silicio diodo zener. Nom tensione Zener 100 V. tolleranza 1%. | Motorola |
| 67798 | 3EZ100D10 | 3 W, silicio diodo zener. Tensione nominale 100 V, corrente di 7,5 mA, + tolleranza -10%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 67799 | 3EZ100D10 | 3 watt Surmetic 30 silicio diodo zener. Nom tensione Zener 100 V. tolleranza del 10%. | Motorola |
| 67800 | 3EZ100D2 | 3 W, silicio diodo zener. Tensione nominale 100 V, corrente di 7,5 mA, + tolleranza di -2%. | Jinan Gude Electronic Device |
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