|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 17299 | 17300 | 17301 | 17302 | 17303 | 17304 | 17305 | 17306 | 17307 | 17308 | 17309 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
692121M36DR432AПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИSGS Thomson Microelectronics
692122M36DR432A100ZA6C32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692123M36DR432A100ZA6C32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692124M36DR432A100ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692125M36DR432A100ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692126M36DR432A120ZA6C32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692127M36DR432A120ZA6C32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692128M36DR432A120ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692129M36DR432A120ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692130M36DR432ADПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256KB X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
692131M36DR432AD32 МБИТ (2 Мб X16, DUAL БАНК, СТР) флэш-памяти и 4 Мбит (256 Кб X16) SRAM, множество микросхем ТОВАРОВSGS Thomson Microelectronics
692132M36DR432AD10ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692133M36DR432AD10ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692134M36DR432AD12ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692135M36DR432AD12ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692136M36DR432AD85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692137M36DR432AD85ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692138M36DR432ADZA32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692139M36DR432AZA32 Mbit 2Mb x16/dvo1na4 память крена/страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM/mnojestvenny1 продукт памятиST Microelectronics
692140M36DR432BПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
692141M36DR432BПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИSGS Thomson Microelectronics
692142M36DR432B100ZA6C32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692143M36DR432B100ZA6C32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692144M36DR432B100ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692145M36DR432B100ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692146M36DR432B120ZA6C32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692147M36DR432B120ZA6C32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692148M36DR432B120ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692149M36DR432B120ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256 x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692150M36DR432BDПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256KB X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
692151M36DR432BD32 МБИТ (2 Мб X16, DUAL БАНК, СТР) флэш-памяти и 4 Мбит (256 Кб X16) SRAM, множество микросхем ТОВАРОВSGS Thomson Microelectronics
692152M36DR432BD10ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692153M36DR432BD10ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692154M36DR432BD12ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692155M36DR432BD12ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692156M36DR432BD85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692157M36DR432BD85ZA6T32 Мбит 2Mb x16, Dual банк, Page флэш-память и 4 Мбит 256Кб x16 SRAM, множественный продукт памятиSGS Thomson Microelectronics
692158M36DR432BDZA32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692159M36DR432BZA32 Mbit 2Mb x16/dvo1na4 память крена/страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM/mnojestvenny1 продукт памятиST Microelectronics
692160M36DR432CПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 17299 | 17300 | 17301 | 17302 | 17303 | 17304 | 17305 | 17306 | 17307 | 17308 | 17309 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com