|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22028 | 22029 | 22030 | 22031 | 22032 | 22033 | 22034 | 22035 | 22036 | 22037 | 22038 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
881281MJ4035КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
881282MJ4035КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881283MJ4035КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881284MJ4035СИЛА TRANSISTORS(16ЈA, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881285MJ4035Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
881286MJ4035100V Дарлингтона средней мощности дополняют кремниевый транзисторComset Semiconductors
881287MJ4035Дарлингтон NPN кремния мощный транзистор. 100 В, 16 А, 150 В.Motorola
881288MJ4105 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ NPN АМПЕРАMotorola
881289MJ411Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
881290MJ413Транзисторы Силы 125W Кремния 10 Амперов NPNMicro Commercial Components
881291MJ41310 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ NPN АМПЕРАMotorola
881292MJ413Ic = 10A, Vce = 5.0V транзисторMCC
881293MJ420Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
881294MJ420SОсвинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
881295MJ421Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
881296MJ421SОсвинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
881297MJ423Транзисторы Силы 125W Кремния 10 Амперов NPNMicro Commercial Components
881298MJ423Ic = 10A, Vce = 5.0V транзисторMCC
881299MJ423Высоковольтные NPN кремниевый транзисторMotorola
881300MJ423Высоковольтные кремния NPN транзисторON Semiconductor
881301MJ423-DТранзистор Кремния Высок-Napr4jeni4 тока NPNON Semiconductor
881302MJ431Транзисторы Силы 125W Кремния 10 Амперов NPNMicro Commercial Components
881303MJ431Ic = 10A, Vce = 5.0V транзисторMCC
881304MJ4502СИЛА TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881305MJ450230 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ PNP АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ 200 ВАТТMotorola
881306MJ4502Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
881307MJ4502Сила 30A 100V Дискретное PNPON Semiconductor
881308MJ4502Сила 30A 100V Дискретное PNPON Semiconductor
881309MJ4502КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ВЫСОКОЙ СИЛЫST Microelectronics
881310MJ4502ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ высокая мощностьSGS Thomson Microelectronics
881311MJ4502PNP. Planar кремниевый транзистор. Аудио усилитель мощности постоянного тока для преобразователя постоянного тока.Wing Shing Computer Components
881312MJ4502-DТранзистор Кремния Высок-Sily PNPON Semiconductor
881313MJ4646Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO18SemeLAB
881314MJ490Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO18SemeLAB
881315MJ491Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO18SemeLAB
881316MJ802СИЛА TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881317MJ802DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO NPN ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC)Wing Shing Computer Components
881318MJ80230 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ NPN АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ 200 ВАТТMotorola
881319MJ802Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
881320MJ802Сила 30A 90V Дискретное NPNON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22028 | 22029 | 22030 | 22031 | 22032 | 22033 | 22034 | 22035 | 22036 | 22037 | 22038 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com