|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22026 | 22027 | 22028 | 22029 | 22030 | 22031 | 22032 | 22033 | 22034 | 22035 | 22036 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
881201MJ21193-DТранзисторы Силы Кремния (NPN)ON Semiconductor
881202MJ21194Сила 16ЈA 250V NPNON Semiconductor
881203MJ21194Silicon Power транзисторMotorola
881204MJ21195Сила, 16ЈA, 250V, PNPON Semiconductor
881205MJ21195-DТранзисторы Силы Кремния (NPN)ON Semiconductor
881206MJ21196Сила, 16ЈA, 250V, NPNON Semiconductor
881207MJ2194транзисторы силы кремния 16 амперов комплементарные 250 вольтов 250 ваттMotorola
881208MJ2253Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO66.SemeLAB
881209MJ2253Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO66.SemeLAB
881210MJ2400Сила ICs/Regul4tory Inrush В настоящее время (Серия MJ)Shindengen
881211MJ2400Пусковой ток контроллерShindengen
881212MJ2500КРЕМНИЙ 10 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 60.80 ВОЛЬТА 150 ВАТТMotorola
881213MJ250060V кремния эпитаксиальный базы ДарлингтонаComset Semiconductors
881214MJ2501КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
881215MJ2501КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881216MJ2501КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881217MJ250180V кремния эпитаксиальный базы ДарлингтонаComset Semiconductors
881218MJ2501Средняя сила дополняют кремниевый транзисторMotorola
881219MJ2501Средней мощности Дополнительные кремния транзисторыON Semiconductor
881220MJ2501-DТранзисторы Кремния Средств-Sily КомплементарныеON Semiconductor
881221MJ281232 СЛОВА X ПАМЯТЬ Fifo 8 БИТОВZarlink Semiconductor
881222MJ2955КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
881223MJ2955КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881224MJ2955КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
881225MJ2955СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 50v, 115w)MOSPEC Semiconductor
881226MJ2955КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯBoca Semiconductor Corporation
881227MJ2955DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC)Wing Shing Computer Components
881228MJ2955Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
881229MJ2955Сила 15ЈA 60V Дискретное PNPON Semiconductor
881230MJ2955115.000W питания PNP Металл Может транзистора. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 HFE.Continental Device India Limited
881231MJ2955Кремния PNP эпитаксиальный-база мощного транзистора. -100V, 150W.General Electric Solid State
881232MJ2955Дополнительные силы кремния транзистораMotorola
881233MJ2955PNP Высокая мощность транзистор. Предназначен для коммутации общего назначения и усилителя применения. VCEO = 60В, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100Vdc Ic = 15AdcUSHA India LTD
881234MJ2955AСИЛА TRANSISTORS(15ЈA)MOSPEC Semiconductor
881235MJ2955AКОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWERBoca Semiconductor Corporation
881236MJ2955AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 60 КРЕМНИЯ 15 АМПЕРОВ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ, 120 ВОЛЬТОВ 115, 180 ВАТТMotorola
881237MJ3000КРЕМНИЙ 10 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 60.80 ВОЛЬТА 150 ВАТТMotorola
881238MJ300060V кремния эпитаксиальный базы ДарлингтонаComset Semiconductors
881239MJ3001КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
881240MJ3001КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22026 | 22027 | 22028 | 22029 | 22030 | 22031 | 22032 | 22033 | 22034 | 22035 | 22036 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com