|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22558 | 22559 | 22560 | 22561 | 22562 | 22563 | 22564 | 22565 | 22566 | 22567 | 22568 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
902481MRF914ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ RF & МИКРОВОЛНЫ ДИСКРЕТНЫЕ НИЗКИЕMicrosemi
902482MRF917T1НИЗКИЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ ШУМАMotorola
902483MRF9180MRF9180, MRF9180S 880 Мегациклов, 170 Ш, 26 MOSFETs Силы Rf Н-Kanala В БоковыхMotorola
902484MRF9180R6880 MHz, 170 W, 26 V Lateral N–Channel RF Power MOSFETFreescale (Motorola)
902485MRF9180S880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETsMotorola
902486MRF9200LR3MOSFETs Боковой части N−Channel Enhancement−ModeFreescale (Motorola)
902487MRF9200LR3880 Mhz; 40W; V (DSS): -0,5 до + 65V; Поле ВЧ мощность транзисторMotorola
902488MRF9200LSR3MOSFETs Боковой части N−Channel Enhancement−ModeFreescale (Motorola)
902489MRF9200LSR3880 Mhz; 40W; V (DSS): -0,5 до + 65V; Поле ВЧ мощность транзисторMotorola
902490MRF9210MRF9210 880 Мегациклов, 200 Ш, Mosfet Силы Rf Н-Kanala 26 В БоковойMotorola
902491MRF9210R3Транзистор Влияния Поля Силы Rf, Mosfet Повышени-Rejima Н-Kanala БоковойMotorola
902492MRF9210R3880 Мегациклов, 200 Ш, 26 Mosfet Силы В Боковой N–Channel Широкополосный RfFreescale (Motorola)
902493MRF927T1НИЗКИЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ ШУМАMotorola
902494MRF927T3НИЗКИЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ ШУМАMotorola
902495MRF9411LT1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902496MRF947AT1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902497MRF947BT1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902498MRF947T1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902499MRF947T3Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902500MRF949T1НИЗКИЕ ТРАНЗИСТОРЫ ШУМАMotorola
902501MRF951ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ RF & МИКРОВОЛНЫ ДИСКРЕТНЫЕ НИЗКИЕMicrosemi
902502MRF9511LT1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902503MRF957T1Шум Кремния NPN Низкий, Транзисторы Высок-CastotyMotorola
902504MRF959T1НИЗКИЕ ТРАНЗИСТОРЫ ШУМАMotorola
902505MRF962ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)Advanced Semiconductor
902506MRF9745T1FET ТРАНЗИСТОРА LDMOS ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭНЕРГИИMotorola
902507MRF9811T1ТРАНЗИСТОР Fet GaAs ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫMotorola
902508MRF9820T1РЕЖИМ GaAs CASCODE ПОВЫШЕНИЯ ШУМА ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ НИЗКИЙMotorola
902509MRF9822T1ТРАНЗИСТОР GaAs PHEMT ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭНЕРГИИMotorola
902510MRFA2600МОДУЛЬ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ RFMotorola
902511MRFA2602МОДУЛЬ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ RFMotorola
902512MRFA2604МОДУЛЬ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ RFMotorola
902513MRFC8003Плашки Транзистора Rf КремнияMotorola
902514MRFC8004Плашки Транзистора Rf КремнияMotorola
902515MRFG35003M6T1MRFG35003M6T1 3.5 Гигагерца, 3 Ш, Fet GaAs PHEMT Силы 6 ВMotorola
902516MRFG35003MT1MRFG35003MT1 3.5 Гигагерца, 3 Ш, Fet GaAs PHEMT Силы 12 ВMotorola
902517MRFG35005MT1MRFG35005MT1 3.5 Гигагерца, 4.5 Ш, Fet GaAs PHEMT Силы 12 ВMotorola
902518MRFG35005NT1Транзистор Влияния Поля Силы Арсенида Галлия PHEMT RfFreescale (Motorola)
902519MRFG35010MRFG35010 3.5 Гигагерца, 10 Ш, Fet GaAs PHEMT Силы 12 ВMotorola
902520MRFG35010MT1MRFG35010MT1 3.5 Гигагерца, 9 Ш, Fet GaAs PHEMT Силы 12 ВMotorola
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22558 | 22559 | 22560 | 22561 | 22562 | 22563 | 22564 | 22565 | 22566 | 22567 | 22568 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com