| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 31101 | MTD6N10E | 6 Amp DPAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 100 | ON Semiconductor |
| 31102 | MTD6N10E-D | Транзистор влияния поля DPAK силы TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 31103 | MTD6N15 | 3R Силы 150V TMOS | ON Semiconductor |
| 31104 | MTD6N15-D | Транзистор влияния поля DPAK силы для
поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
держателя | ON Semiconductor |
| 31105 | MTD6N15T4 | 3R Силы 150V TMOS | ON Semiconductor |
| 31106 | MTD6N15T4G | 3R Силы 150V TMOS | ON Semiconductor |
| 31107 | MTD6N20E | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31108 | MTD6N20E-D | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31109 | MTD6N20ET4 | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31110 | MTD6N20ET4G | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31111 | MTD6P10E | Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов
П-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31112 | MTD6P10E-D | Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов
П-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31113 | MTD6P10EG | Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов
П-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31114 | MTD6P10ET4 | Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов
П-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31115 | MTD6P10ET4G | Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов
П-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31116 | MTD9N10E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 9 Усилители, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 31117 | MTD9N10E-D | Mosfet Силы 9 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31118 | MTDF1C02HD | Power MOSFET 1 А, 20 Вольт | ON Semiconductor |
| 31119 | MTDF1C02HD-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов
Комплементарного Micro8 | ON Semiconductor |
| 31120 | MTDF1N02HD | Power MOSFET 1 А, 20 Вольт | ON Semiconductor |
| 31121 | MTDF1N02HD-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов
Н-Kanala Micro8, Двойного | ON Semiconductor |
| 31122 | MTDF1N03HD | Power MOSFET 1 А, 30 Вольт | ON Semiconductor |
| 31123 | MTDF1N03HD-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 30 Вольтов
Н-Kanala Micro8 Удваивает | ON Semiconductor |
| 31124 | MTDF1P02HD | Power MOSFET 1 А, 20 Вольт | ON Semiconductor |
| 31125 | MTDF1P02HD-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов
П-Kanala Micro8 Удваивает | ON Semiconductor |
| 31126 | MTDF2N06HD | Мощность MOSFET 2 А, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31127 | MTDF2N06HD-D | Mosfet Силы 2 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala Micro8 Удваивает | ON Semiconductor |
| 31128 | MTP10N10E | Мощность MOSFET 10 А, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 31129 | MTP10N10E-D | Mosfet Силы 2 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala Micro8, Двойного | ON Semiconductor |
| 31130 | MTP10N10EL | Mosfet Силы 10 Амперов, 100 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31131 | MTP10N10EL-D | Mosfet Силы 10 Амперов, 100 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31132 | MTP10N10ELG | Mosfet Силы 10 Амперов, 100 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31133 | MTP10N40E | 10 А К-220AB, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 31134 | MTP10N40E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31135 | MTP10N60E7 | Fet Силы Высокой™ Энергии TMOS
7 E-FET | ON Semiconductor |
| 31136 | MTP10N60E7-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS 7 E-FET | ON Semiconductor |
| 31137 | MTP12N06EZL | УСТАРЕЛО - N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 31138 | MTP12N06EZL-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31139 | MTP12N10E | УСТАРЕЛО - 12 А TO-220AB, N-канал, VDSS 100 | ON Semiconductor |
| 31140 | MTP12N10E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31141 | MTP12P10 | Mosfet Силы 12 Ампера, 100 Вольтов
Повышени-Rejima DPAK Н-Kanala | ON Semiconductor |
| 31142 | MTP12P10-D | Mosfet Силы 12 Ампера, 100 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31143 | MTP1302 | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 42 Усилители, 30 Вольт | ON Semiconductor |
| 31144 | MTP1302-D | Mosfet Силы 42 Ампера, 30 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31145 | MTP1306 | Mosfet Силы 75 Амперов, 30 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31146 | MTP1306-D | Mosfet Силы 75 Амперов, 30 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31147 | MTP15N06V | Мощность MOSFET 15 Ампер, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31148 | MTP15N06V-D | Mosfet Силы 15 Амперов, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31149 | MTP15N06VL | Мощность MOSFET 15 Ампер, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 31150 | MTP15N06VL-D | Mosfet силы 15 амперов, 60 вольтов,
Н-Kanal TO-220 логики ровного и D2 PAK | ON Semiconductor |
| 31151 | MTP16N25E | УСТАРЕЛО - 16 А TO-220AB, N-канал, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 31152 | MTP16N25E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31153 | MTP1N100E | 1 А ТО-220AB, N-канал, VDSS 1000 | ON Semiconductor |
| 31154 | MTP1N100E-D | Повышение Н-Kanala Транзистора Влияния Поля Силы
TMOS E-FET - Строб Кремния Режима | ON Semiconductor |
| 31155 | MTP1N50E | УСТАРЕЛО - Power MOSFET 1, 500 В N-канал TO-220 | ON Semiconductor |
| 31156 | MTP1N50E-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 500 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31157 | MTP1N60E | УСТАРЕЛО - 1 А ТО-220AB, N-канал, VDSS 600 | ON Semiconductor |
| 31158 | MTP1N60E-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 600 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31159 | MTP20N06V | Мощность MOSFET 20 А, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31160 | MTP20N06V-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31161 | MTP20N15E | Мощность MOSFET 20 А, 150 Вольт | ON Semiconductor |
| 31162 | MTP20N15E-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31163 | MTP20N20E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 20 А, 200 Вольт | ON Semiconductor |
| 31164 | MTP20N20E-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 200 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31165 | MTP23P06V | Mosfet Силы 23 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31166 | MTP23P06V-D | Mosfet Силы 23 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31167 | MTP27N10E | Мощность MOSFET 27 Ампер, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 31168 | MTP27N10E-D | Mosfet Силы 27 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31169 | MTP2955V | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31170 | MTP2955V-D | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31171 | MTP2955VG | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31172 | MTP29N15E | Mosfet Силы 29 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 31173 | MTP29N15E-D | Mosfet Силы 29 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31174 | MTP2N40E | 2 А ТО-220AB, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 31175 | MTP2N40E-D | Повышение Н-Kanala Транзистора Влияния Поля Силы
TMOS E-FET - Строб Кремния Режима | ON Semiconductor |
| 31176 | MTP2N60E | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 31177 | MTP2N60E-D | Повышение Н-Kanala Транзистора Влияния Поля Силы
TMOS E-FET - Строб Кремния Режима | ON Semiconductor |
| 31178 | MTP2P50E | Mosfet Силы 2 Ампера, 500 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31179 | MTP2P50E-D | Mosfet Силы 2 Ампера, 500 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31180 | MTP2P50EG | Mosfet Силы 2 Ампера, 500 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31181 | MTP3055V | Fet 60V Силы TMOS, 0.15ЈOhm | ON Semiconductor |
| 31182 | MTP3055V-D | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31183 | MTP3055VL | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31184 | MTP3055VL | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31185 | MTP3055VL-D | Mosfet Силы 12 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31186 | MTP30N06VL | Мощность MOSFET 30 Ампер, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 31187 | MTP30N06VL-D | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31188 | MTP30P06V | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31189 | MTP30P06V-D | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31190 | MTP30P06VG | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31191 | MTP33N10E | Сила NChannel Spp | ON Semiconductor |
| 31192 | MTP33N10E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31193 | MTP36N06V | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 31194 | MTP36N06V-D | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31195 | MTP3N100E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31196 | MTP3N120E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31197 | MTP3N50E | 3 А К-220AB, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31198 | MTP3N50E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31199 | MTP3N60E | 3 А К-220AB, N-канал, VDSS 600 | ON Semiconductor |
| 31200 | MTP3N60E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| | | |
