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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1011N4006800 V, la diode de redresseur au siliciumBKC International Electronics
1021N40071000 V, la diode de redresseur au siliciumBKC International Electronics
1031N400925 V, 500 mW diode ultra haute vitesseBKC International Electronics
1041N414875 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevéeBKC International Electronics
1051N4148-1, La diode de commutation de silicium de 100 V à 500 mWBKC International Electronics
1061N414975 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevéeBKC International Electronics
1071N4150-175 V, la diode de commutation de silicium de 500 mWBKC International Electronics
1081N415150 V, 500 mW diode à haute vitesseBKC International Electronics
1091N415230 V, 500 mW diode à haute vitesseBKC International Electronics
1101N415350 V, 500 mW diode à haute vitesseBKC International Electronics
1111N4153-175 V, la diode de commutation de silicium de 500 mWBKC International Electronics
1121N415425 V, 500 mW diode à haute vitesseBKC International Electronics
1131N4154-175 V, la diode de commutation de silicium de 500 mWBKC International Electronics
1141N41760 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1151N41860 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1161N41980 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1171N430550 V, la diode 500 mW ultra rapide de faible capacitéBKC International Electronics
1181N444675 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevéeBKC International Electronics
1191N444775 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevéeBKC International Electronics
1201N4448100 V, 500 mW diode plane de siliciumBKC International Electronics
1211N444975 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevéeBKC International Electronics
1221N445450 V, la diode 500 mW ultra rapide de faible capacitéBKC International Electronics
1231N44775 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1241N448120 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1251N44950 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1261N450120 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics



1271N451170 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1281N45250 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1291N452315 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1301N452410 V, 500 mA, la diode d'or liésBKC International Electronics
1311N453120 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1321N4531100 V, 500 mW diode à usage généralBKC International Electronics
1331N45475 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1341N45550 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
1351N45625 V, 500 mW de diodes à faible fuiteBKC International Electronics
1361N456/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1371N456/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1381N456A25 V, 500 mW de diodes à faible fuiteBKC International Electronics
1391N45760 V, 500 mW de diodes à faible fuiteBKC International Electronics
1401N457/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1411N457/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1421N457A60 V, 500 mW de diodes à faible fuiteBKC International Electronics
1431N458125 V, 500 mW diode de fuite faibleBKC International Electronics
1441N458/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1451N458/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1461N458A125 V, 500 mW diode de fuite faibleBKC International Electronics
1471N459175 V, 500 mW diode de fuite faibleBKC International Electronics
1481N459/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1491N459/ABASSES DIODES DE FUITEBKC International Electronics
1501N459A175 V, 500 mW diode de fuite faibleBKC International Electronics

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