| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1166081 | STH6N100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166082 | STH6N100FI | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166083 | STH6N100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166084 | STH6NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166085 | STH6NA80FI | N - la MANCHE 800V - 1,8 Ohms - 5. - To-247/isowatt218 JEÛNENT TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166086 | STH6NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166087 | STH7NA100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166088 | STH7NA100FI | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166089 | STH7NA100FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166090 | STH7NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
| 1166091 | STH7NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
| 1166092 | STH7NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166093 | STH7NA80FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166094 | STH7NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166095 | STH7NA90FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166096 | STH7NA90FI | N - la MANCHE 900V - 1,05 Ohms - 7A - To-247/isowatt218 JEÛNENT Transistor MOSFET de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166097 | STH7NA90FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166098 | STH80N10F7-2 | N-canal 100 V, 0,008 Ohm typ., 80 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
| 1166099 | STH81002Z | laser de 1550nm en À-Paquet coaxial | Siemens |
| 1166100 | STH81002Z | laser de 1550nm en À-Paquet coaxial | Siemens |
| 1166101 | STH8N80 | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1166102 | STH8N80FI | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1166103 | STH8N80FI | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1166104 | STH8NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166105 | STH8NA60FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166106 | STH8NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166107 | STH8NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166108 | STH8NA80FI | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166109 | STH8NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166110 | STH8NB90FI | N-canal 900V - 1,1 OHMS - Å - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1166111 | STH8NB90FI | N-canal 900V - 1,1 OHMS - Å - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166112 | STH9NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166113 | STH9NA60FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166114 | STH9NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166115 | STH9NA80 | N - La MANCHE 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 JEÛNENTTRANSISTOR De MOS De PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1166116 | STH9NA80 | N - La MANCHE 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 JEÛNENTTRANSISTOR De MOS De PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1166117 | STH9NA80FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1166118 | STH9NA80FI | N - la MANCHE 800V - 0.8Öhm - 9.1A - To-247/isowatt218 JEÛNENT TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166119 | STH9NA80FI | VIEUX PRODUIT: PRODUIT NON APPROPRIÉ De F: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166120 | STHH2003CR | REDRESSEUR SECONDAIRE À HAUTE FRÉQUENCE | ST Microelectronics |
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