| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1166081 | STH6N100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166082 | STH6N100FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166083 | STH6N100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166084 | STH6NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166085 | STH6NA80FI | N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166086 | STH6NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166087 | STH7NA100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166088 | STH7NA100FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166089 | STH7NA100FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166090 | STH7NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1166091 | STH7NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1166092 | STH7NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166093 | STH7NA80FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166094 | STH7NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166095 | STH7NA90FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166096 | STH7NA90FI | N - FÜHRUNG 900V - 1.05 Ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166097 | STH7NA90FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166098 | STH80N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 0.008 Ohm typ. 80 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1166099 | STH81002Z | 1550nm Laser im KoaxialZu-paket | Siemens |
| 1166100 | STH81002Z | 1550nm Laser im KoaxialZu-paket | Siemens |
| 1166101 | STH8N80 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1166102 | STH8N80FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1166103 | STH8N80FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1166104 | STH8NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166105 | STH8NA60FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166106 | STH8NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166107 | STH8NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166108 | STH8NA80FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166109 | STH8NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166110 | STH8NB90FI | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1166111 | STH8NB90FI | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166112 | STH9NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166113 | STH9NA60FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166114 | STH9NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166115 | STH9NA80 | N - FÜHRUNG 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIEMOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1166116 | STH9NA80 | N - FÜHRUNG 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIEMOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1166117 | STH9NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1166118 | STH9NA80FI | N - FÜHRUNG 800V - 0.85Ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166119 | STH9NA80FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBARES F PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166120 | STHH2003CR | HOCHFREQUENZSEKUNDÄRGLEICHRICHTER | ST Microelectronics |
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