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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1196641TC55257APL-10PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196642TC55257APL-10PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196643TC55257APL-12PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196644TC55257APL-12PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196645TC55257APL-85PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196646TC55257APL-85PRODUITS DE MÉMOIRE DE MOS DE TOSHIBATOSHIBA
1196647TC55257BFLPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196648TC55257BFLPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196649TC55257BFL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196650TC55257BFL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196651TC55257BFL-10LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
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1196655TC55257BFL-85LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196656TC55257BFL-85LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
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1196658TC55257BFTLPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196659TC55257BFTL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA



1196660TC55257BFTL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196661TC55257BFTL-10LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
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1196665TC55257BFTL-85LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196666TC55257BFTL-85LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196667TC55257BPLPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196668TC55257BPLPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196669TC55257BPL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196670TC55257BPL-10PORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196671TC55257BPL-10LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196672TC55257BPL-10LPORTE De SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITSTOSHIBA
1196673TC55257BPL-85L85 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAICTOSHIBA
1196674TC55257BSPL-10L100 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAICTOSHIBA
1196675TC55257BSPL-85L85 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAICTOSHIBA
1196676TC55257BTRL-10L100 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAICTOSHIBA
1196677TC55257BTRL-85L85 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAICTOSHIBA
1196678TC55257CPI-10LPORTE de SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM de CHARGE STATIQUE de 8 BITSTOSHIBA
1196679TC55257CPI-10LPORTE de SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM de CHARGE STATIQUE de 8 BITSTOSHIBA
1196680TC55257CPLPORTE de SILICIUM CMOS 32.768 WORD X RAM de CHARGE STATIQUE de 8 BITSTOSHIBA
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