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No.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
1196641	TC55257APL-10	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196642	TC55257APL-10	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196643	TC55257APL-12	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196644	TC55257APL-12	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196645	TC55257APL-85	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196646	TC55257APL-85	PRODOTTI DI MEMORIA DEL MOS DI TOSHIBA	TOSHIBA
1196647	TC55257BFL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196648	TC55257BFL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196649	TC55257BFL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196650	TC55257BFL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196651	TC55257BFL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196652	TC55257BFL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196653	TC55257BFL-85	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196654	TC55257BFL-85	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196655	TC55257BFL-85L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196656	TC55257BFL-85L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196657	TC55257BFTL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196658	TC55257BFTL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196659	TC55257BFTL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA

1196660	TC55257BFTL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196661	TC55257BFTL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196662	TC55257BFTL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196663	TC55257BFTL-85	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196664	TC55257BFTL-85	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196665	TC55257BFTL-85L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196666	TC55257BFTL-85L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196667	TC55257BPL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196668	TC55257BPL	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196669	TC55257BPL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196670	TC55257BPL-10	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196671	TC55257BPL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196672	TC55257BPL-10L	PORTA AL SILICIO Cmos 32.768 WORD X RAM Di ELETTRICITÀ STATICA Dei 8 BIT	TOSHIBA
1196673	TC55257BPL-85L	85ns; V (dd / a): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS rovinato: 32.768 parole x 8-bit staic RAM	TOSHIBA
1196674	TC55257BSPL-10L	100ns; V (dd / a): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS rovinato: 32.768 parole x 8-bit staic RAM	TOSHIBA
1196675	TC55257BSPL-85L	85ns; V (dd / a): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS rovinato: 32.768 parole x 8-bit staic RAM	TOSHIBA
1196676	TC55257BTRL-10L	100ns; V (dd / a): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS rovinato: 32.768 parole x 8-bit staic RAM	TOSHIBA
1196677	TC55257BTRL-85L	85ns; V (dd / a): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS rovinato: 32.768 parole x 8-bit staic RAM	TOSHIBA
1196678	TC55257CPI-10L	PORTA AL SILICIO CMOS 32.768 WORD x RAM di ELETTRICITÀ STATICA dei 8 BIT	TOSHIBA
1196679	TC55257CPI-10L	PORTA AL SILICIO CMOS 32.768 WORD x RAM di ELETTRICITÀ STATICA dei 8 BIT	TOSHIBA
1196680	TC55257CPL	PORTA AL SILICIO CMOS 32.768 WORD x RAM di ELETTRICITÀ STATICA dei 8 BIT	TOSHIBA

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