| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1197841 | TC55WD818FF-150 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197842 | TC55WD818FF-167 | 524.288-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197843 | TC55WD836FF-133 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197844 | TC55WD836FF-150 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197845 | TC55WD836FF-167 | 262.144-mots PAR LA RAM de CHARGE STATIQUE D'Aucun-rotation De 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197846 | TC55WDM518AFFN15 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197847 | TC55WDM518AFFN16 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197848 | TC55WDM518AFFN20 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197849 | TC55WDM518AFFN22 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de NtRAM TM 2M par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197850 | TC55WDM536AFFN15 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197851 | TC55WDM536AFFN16 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197852 | TC55WDM536AFFN20 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197853 | TC55WDM536AFFN22 | 36M 2.5V ont canalisé le mot de 1M de NtRAM TM par la RAM de CHARGE STATIQUE d'Aucun-rotation de 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197854 | TC55YEM216ABXN-55 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 1197855 | TC55YEM216ABXN-70 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 1197856 | TC56 | The TC56 is a low supply current (11 µA typ at VOUT =3V), low dropout CMOS linear regulator, with a 10V maximum input voltage range. CMOS construction eliminates wasted ground current typical of bipolar regulators f | Microchip |
| 1197857 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197858 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197859 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197860 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197861 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197862 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO avec l'arrêt | Microchip |
| 1197863 | TC57 | The TC57 is a low dropout regulator controller that operates with an external PNP pass transistor, allowing the user to tailor the LDO characteristics to suit the application at hand. This results in lower dropout operation (and oft | Microchip |
| 1197864 | TC572502ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197865 | TC572502ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197866 | TC572502ECTTR | contrôleur de régulateur de ligne, 2.5V | Microchip |
| 1197867 | TC573002ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197868 | TC573002ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197869 | TC573002ECTTR | contrôleur de régulateur de ligne, 3.0V | Microchip |
| 1197870 | TC573302ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197871 | TC573302ECT | Ligne Contrôleur De Régulateur | Microchip |
| 1197872 | TC573302ECTTR | contrôleur de régulateur de ligne, 3.3V | Microchip |
| 1197873 | TC57512AD-15 | 65.536 MOTS X 8 SEULEMENT MÉMOIRES LUES EFFAÇABLES des BITS CMOS ETÉLECTRIQUEMENT PROGRAMMABLES UV | etc |
| 1197874 | TC57512AD-15 | 65.536 MOTS X 8 SEULEMENT MÉMOIRES LUES EFFAÇABLES des BITS CMOS ETÉLECTRIQUEMENT PROGRAMMABLES UV | etc |
| 1197875 | TC57512AD-15 | 150 ns; V (cc): -0,6 à + 7V; 1.5W; 65.536 mots x 8 bits CMOS UV effaçable et programmable électriquement Read Only Memory | TOSHIBA |
| 1197876 | TC57512AD-20 | 65.536 MOTS X 8 SEULEMENT MÉMOIRES LUES EFFAÇABLES des BITS CMOS ETÉLECTRIQUEMENT PROGRAMMABLES UV | etc |
| 1197877 | TC57512AD-20 | 65.536 MOTS X 8 SEULEMENT MÉMOIRES LUES EFFAÇABLES des BITS CMOS ETÉLECTRIQUEMENT PROGRAMMABLES UV | etc |
| 1197878 | TC57512AD-20 | 200 ns; V (cc): -0,6 à + 7V; 1.5W; 65.536 mots x 8 bits CMOS UV effaçable et programmable électriquement Read Only Memory | TOSHIBA |
| 1197879 | TC581282A | Non-et E2PROM BITS De 128-MBIT (16M X 8) CMOS | TOSHIBA |
| 1197880 | TC581282A | Non-et E2PROM BITS De 128-MBIT (16M X 8) CMOS | TOSHIBA |
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