| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1197841 | TC55WD818FF-150 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197842 | TC55WD818FF-167 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197843 | TC55WD836FF-133 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197844 | TC55WD836FF-150 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197845 | TC55WD836FF-167 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197846 | TC55WDM518AFFN15 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197847 | TC55WDM518AFFN16 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197848 | TC55WDM518AFFN20 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197849 | TC55WDM518AFFN22 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197850 | TC55WDM536AFFN15 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197851 | TC55WDM536AFFN16 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197852 | TC55WDM536AFFN20 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197853 | TC55WDM536AFFN22 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
| 1197854 | TC55YEM216ABXN-55 | 262.144-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 1197855 | TC55YEM216ABXN-70 | 262.144-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 1197856 | TC56 | Il TC56 č un rifornimento basso corrente (typ di µA 11 a VOUT = 3V), regolatore lineare di CMOS di interruzione procedura bassa, con una gamma di tensione in ingresso massima 10V. La costruzione di CMOS elimina la corrente al suolo spreca | Microchip |
| 1197857 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197858 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197859 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197860 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197861 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197862 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO con l'arresto | Microchip |
| 1197863 | TC57 | Il TC57 č un regolatore basso del regolatore di interruzione procedura che funziona con un transistore esterno del passaggio di PNP, permettendo che l'utente adegui alle caratteristiche di LDO il vestito l'applicazione attuale. Ciņ provoc | Microchip |
| 1197864 | TC572502ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197865 | TC572502ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197866 | TC572502ECTTR | Regolatore di bilanciamento, 2.5V | Microchip |
| 1197867 | TC573002ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197868 | TC573002ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197869 | TC573002ECTTR | Regolatore di bilanciamento, 3.0V | Microchip |
| 1197870 | TC573302ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197871 | TC573302ECT | Linea Regolatore Del Regolatore | Microchip |
| 1197872 | TC573302ECTTR | Regolatore di bilanciamento, 3.3V | Microchip |
| 1197873 | TC57512AD-15 | 65.536 PAROLE x 8 SOLTANTO MEMORIE COLTE CANCELLABILI di CMOS dei BIT ED ELETTRICAMENTE PROGRAMMABILI UV | etc |
| 1197874 | TC57512AD-15 | 65.536 PAROLE x 8 SOLTANTO MEMORIE COLTE CANCELLABILI di CMOS dei BIT ED ELETTRICAMENTE PROGRAMMABILI UV | etc |
| 1197875 | TC57512AD-15 | 150ns; V (cc): -0.6 a + 7V; 1.5W; 65.536 parole x 8 bit CMOS UV cancellabile e programmabile elettricamente memoria di sola lettura | TOSHIBA |
| 1197876 | TC57512AD-20 | 65.536 PAROLE x 8 SOLTANTO MEMORIE COLTE CANCELLABILI di CMOS dei BIT ED ELETTRICAMENTE PROGRAMMABILI UV | etc |
| 1197877 | TC57512AD-20 | 65.536 PAROLE x 8 SOLTANTO MEMORIE COLTE CANCELLABILI di CMOS dei BIT ED ELETTRICAMENTE PROGRAMMABILI UV | etc |
| 1197878 | TC57512AD-20 | 200ns; V (cc): -0.6 a + 7V; 1.5W; 65.536 parole x 8 bit CMOS UV cancellabile e programmabile elettricamente memoria di sola lettura | TOSHIBA |
| 1197879 | TC581282A | BIT Di 128-MBIT (16M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
| 1197880 | TC581282A | BIT Di 128-MBIT (16M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
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