| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 255961 | BD140 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 255962 | BD140 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255963 | BD140 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | Motorola |
| 255964 | BD140 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 255965 | BD140 | Puissance 1.Ä 80V PNP | ON Semiconductor |
| 255966 | BD140 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD139 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255967 | BD140 | Transistor de silicium NPN 60V | Comset Semiconductors |
| 255968 | BD140-10 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 255969 | BD140-10 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255970 | BD140-10 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | Motorola |
| 255971 | BD140-10 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | ST Microelectronics |
| 255972 | BD140-10 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE PNP | ON Semiconductor |
| 255973 | BD140-10 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD139-10 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255974 | BD140-16 | Transistors de puissance de PNP | Philips |
| 255975 | BD140-16 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | ST Microelectronics |
| 255976 | BD140-16 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD139-16 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255977 | BD140-25 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD139-25 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 255978 | BD140-6 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 255979 | BD140-6 | 12.500W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complémentaire BD139-6 | Continental Device India Limited |
| 255980 | BD14010S | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255981 | BD14010STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255982 | BD14016S | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255983 | BD14016STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255984 | BD1406S | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255985 | BD1406STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255986 | BD142 | Puissance Linerar de transistor de silicium de NPN et applications de commutation | Comset Semiconductors |
| 255987 | BD142 | Puissance Linerar de transistor de silicium de NPN et applications de commutation | Comset Semiconductors |
| 255988 | BD142 | Silicon NPN transistor de puissance élevée. 50V, 117W. | General Electric Solid State |
| 255989 | BD157 | Transistor De Silicium de NPN Epitxial | Fairchild Semiconductor |
| 255990 | BD157 | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | Motorola |
| 255991 | BD157 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0,500A Ic, 30-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 255992 | BD157STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255993 | BD158 | Transistor De Silicium de NPN Epitxial | Fairchild Semiconductor |
| 255994 | BD158 | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | Motorola |
| 255995 | BD158 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 255996 | BD158STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255997 | BD159 | Transistor De Silicium de NPN Epitxial | Fairchild Semiconductor |
| 255998 | BD159 | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | Motorola |
| 255999 | BD159 | Puissance NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 256000 | BD159 | 20.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 30-240 hFE. | Continental Device India Limited |
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