| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 256161 | BD239C | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 2.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256162 | BD239C | Transistor de puissance d'électrons Pro | General Electric Solid State |
| 256163 | BD239C | NPN SILICON POWER TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 256164 | BD239CTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256165 | BD239D | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256166 | BD239E | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256167 | BD239F | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256168 | BD239TU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256169 | BD240 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256170 | BD240 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
| 256171 | BD240 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256172 | BD240 | 30.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256173 | BD240 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 30W. | General Electric Solid State |
| 256174 | BD240 | 55 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256175 | BD240A | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256176 | BD240A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
| 256177 | BD240A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256178 | BD240A | 30.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256179 | BD240A | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 30W. | General Electric Solid State |
| 256180 | BD240A | 70 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256181 | BD240B | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256182 | BD240B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
| 256183 | BD240B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256184 | BD240B | 30.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256185 | BD240B | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 30W. | General Electric Solid State |
| 256186 | BD240B | 90 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256187 | BD240BTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256188 | BD240C | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256189 | BD240C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
| 256190 | BD240C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256191 | BD240C | 30.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 2.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256192 | BD240C | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 30W. | General Electric Solid State |
| 256193 | BD240C | 115 V, le transistor de puissance PNP de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
| 256194 | BD240CBP | 30.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256195 | BD240CTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256196 | BD240TU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256197 | BD241 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256198 | BD241 | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 256199 | BD241 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256200 | BD241 | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
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