| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 259521 | BF998R | Transistors MOSFET à double portail de N-canal de silicium | Philips |
| 259522 | BF998R | Tétrode Duelle De MOS‐Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259523 | BF998R | Rf-transistor MOSFET - VDS=8v, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 259524 | BF998R | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 259525 | BF998R | N-canal double grille MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259526 | BF998RA | Tétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259527 | BF998RAW | Tétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259528 | BF998RB | Tétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259529 | BF998RBW | Tétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259530 | BF998RW | Tétrode Duelle De MOS‐Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'Épuisement | Vishay |
| 259531 | BF998W | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 259532 | BF998W | Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 259533 | BF998WR | transistor MOSFET à double portail de N-canal | Philips |
| 259534 | BF998WR | N-canal double grille MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259535 | BF999 | Rf-transistor MOSFET - VDS=15v, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
| 259536 | BF999 | Triode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 259537 | BF999 | Triode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des applications de FM) | Siemens |
| 259538 | BFAP15 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259539 | BFAP57 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259540 | BFAP58 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259541 | BFAP59 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259542 | BFAP80 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259543 | BFAP83 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
| 259544 | BFC13 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259545 | BFC13 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259546 | BFC40 | TRANSISTORS MOSFET DE PUISSANCE D'ISOLEMENT PAR HAUTE TENSION DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DE N?channel | SemeLAB |
| 259547 | BFC43 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259548 | BFC50 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259549 | BFC50 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259550 | BFC505 | Transistor à large bande de cascode de NPN | Philips |
| 259551 | BFC51 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259552 | BFC520 | Transistor à large bande de cascode de NPN | Philips |
| 259553 | BFC60 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE D'ISOLEMENT PAR HAUTE TENSION de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SemeLAB |
| 259554 | BFC61 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259555 | BFC61 | 4ÈME TRANSISTOR MOSFET DE GÉNÉRATION | SemeLAB |
| 259556 | BFE214 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259557 | BFE214R | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259558 | BFE215 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259559 | BFE215R | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259560 | BFE505 | Transistor différentiel à large bande de NPN | Philips |
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