| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 259521 | BF998R | Silikon N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 259522 | BF998R | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259523 | BF998R | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 259524 | BF998R | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor) | Siemens |
| 259525 | BF998R | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259526 | BF998RA | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259527 | BF998RAW | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259528 | BF998RB | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259529 | BF998RBW | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259530 | BF998RW | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259531 | BF998W | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor) | Siemens |
| 259532 | BF998W | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
| 259533 | BF998WR | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259534 | BF998WR | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259535 | BF999 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
| 259536 | BF999 | Silikon N-Führung Mosfet Triode | Infineon |
| 259537 | BF999 | Führung MOSFET Triode des Silikon-N (für Hochfrequenzstadien bis 300 MHZ, vorzugsweise in den FM Anwendungen) | Siemens |
| 259538 | BFAP15 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259539 | BFAP57 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259540 | BFAP58 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259541 | BFAP59 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259542 | BFAP80 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259543 | BFAP83 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci specjalny | Ultra CEMI |
| 259544 | BFC13 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259545 | BFC13 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259546 | BFC40 | N?CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-HOCHSPANNUNG LOKALISIERTE ENERGIE MOSFETS | SemeLAB |
| 259547 | BFC43 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259548 | BFC50 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259549 | BFC50 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259550 | BFC505 | NPN Breitbandcascode Transistor | Philips |
| 259551 | BFC51 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259552 | BFC520 | NPN Breitbandcascode Transistor | Philips |
| 259553 | BFC60 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-HOCHSPANNUNG LOKALISIERTE ENERGIE MOSFETS | SemeLAB |
| 259554 | BFC61 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259555 | BFC61 | 4. ERZEUGUNG MOSFET | SemeLAB |
| 259556 | BFE214 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259557 | BFE214R | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259558 | BFE215 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259559 | BFE215R | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259560 | BFE505 | NPN differentialer Breitbandtransistor | Philips |
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