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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
260201BFS460L6Transistors Rf-Bipolaires ESD-Durcis de NPN dans & SOT343 et Tslp-3 (simple) standard; Paquets de Tslp-6 Leadless (duel)Infineon
260202BFS460L6E6327Rf-Bipolaire - transistor duel du silicium rf de NPN en paquet Tslp-3 idéal pour de bas amplificateurs de bruit et modules de VCOInfineon
260203BFS466L6Transistors Rf-Bipolaires ESD-Durcis de NPN dans & SOT343 et Tslp-3 (simple) standard; Paquets de Tslp-6 Leadless (duel)Infineon
260204BFS466L6E6327Rf-Bipolaire - transistor duel du silicium rf de NPN en paquet Tslp-3 idéal pour de bas amplificateurs de bruit et modules de VCOInfineon
260205BFS469L6Transistors Rf-Bipolaires ESD-Durcis de NPN dans & SOT343 et Tslp-3 (simple) standard; Paquets de Tslp-6 Leadless (duel)Infineon
260206BFS469L6E6327Rf-Bipolaire - transistor duel du silicium rf de NPN en paquet Tslp-3 idéal pour de bas amplificateurs de bruit et modules de VCOInfineon
260207BFS480Rf-Bipolaire - rangée duelle de transistor du silicium rf de NPN (2xBFR180W) pour le bas bruit, bas amplificateurs de puissanceInfineon
260208BFS480Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs de basse puissance dans les systèmes de communication mobiles)Siemens
260209BFS481Rf-Bipolaire - rangée duelle de transistor du silicium rf de NPN (2xBFR181W) pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de gain élevéInfineon
260210BFS481Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 0,5 à 12 mA)Siemens
260211BFS482Transistor du silicium rf de NPN pour le bas NOI...Infineon
260212BFS482Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA.)Siemens
260213BFS483Rf-Bipolaire - rangée duelle de transistor du silicium rf de NPN (2xBFR183W) pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de gain élevéInfineon
260214BFS483Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur à bande large à faible bruit et à gain élevé au courant de colector de 2mA à 28mA)Siemens
260215BFS505NPN transistor de bande large de 9 gigahertzPhilips
260216BFS505NPN 9 GHz large bande transistorNXP Semiconductors
260217BFS520NPN transistor de bande large de 9 gigahertzPhilips



260218BFS520NPN 9 GHz large bande transistorNXP Semiconductors
260219BFS540NPN transistor de bande large de 9 gigahertzPhilips
260220BFS540NPN 9 GHz large bande transistorNXP Semiconductors
260221BFS89Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
260222BFS95Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
260223BFT12TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPNSiemens
260224BFT25NPN transistor de bande large de 2 gigahertzPhilips
260225BFT25NPN 2 GHz large bande transistorNXP Semiconductors
260226BFT25ANPN transistor de bande large de 5 gigahertzPhilips
260227BFT25ANPN 5 GHz large bande transistorNXP Semiconductors
260228BFT28CPetit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
260229BFT31Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18.SemeLAB
260230BFT31Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18.SemeLAB
260231BFT32Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39SemeLAB
260232BFT32Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39SemeLAB
260233BFT33ATRANSISTOR DE SILICIUM DE NPNSemeLAB
260234BFT34Dispositif Bipolaire de NPN.SemeLAB
260235BFT34Dispositif Bipolaire de NPN.SemeLAB
260236BFT36ATRANSISTOR DE SILICIUM DE PNPSemeLAB
260237BFT37BFT37SemeLAB
260238BFT37BFT37SemeLAB
260239BFT44Transistors De Haute tension Du Silicium PNPPhilips
260240BFT44Transistor De Silicium de PNPSemeLAB
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