| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 260201 | BFS460L6 | ESD-Verhärtete Rf-Zweipolige NPN Transistoren in den Standard-SOT343 und TSLP-3 (einzeln) u. TSLP-6 (Doppel) Leadless Paketen | Infineon |
| 260202 | BFS460L6E6327 | Rf-Zweipolig - Doppel-NPN Silikon Rf Transistor im Paket TSLP-3 ideal für niedrige Geräusch-Verstärker und VCO Module | Infineon |
| 260203 | BFS466L6 | ESD-Verhärtete Rf-Zweipolige NPN Transistoren in den Standard-SOT343 und TSLP-3 (einzeln) u. TSLP-6 (Doppel) Leadless Paketen | Infineon |
| 260204 | BFS466L6E6327 | Rf-Zweipolig - Doppel-NPN Silikon Rf Transistor im Paket TSLP-3 ideal für niedrige Geräusch-Verstärker und VCO Module | Infineon |
| 260205 | BFS469L6 | ESD-Verhärtete Rf-Zweipolige NPN Transistoren in den Standard-SOT343 und TSLP-3 (einzeln) u. TSLP-6 (Doppel) Leadless Paketen | Infineon |
| 260206 | BFS469L6E6327 | Rf-Zweipolig - Doppel-NPN Silikon Rf Transistor im Paket TSLP-3 ideal für niedrige Geräusch-Verstärker und VCO Module | Infineon |
| 260207 | BFS480 | Rf-Zweipolig - NPN Silikon Rf Doppeltransistorreihe (2xBFR180W) für niedrige Geräusche, niedrige Endverstärker | Infineon |
| 260208 | BFS480 | NPN Silikon Rf Transistor (für niedrige Geräusche, Niederleistungsverstärker in den beweglichen Kommunikationssystemen) | Siemens |
| 260209 | BFS481 | Rf-Zweipolig - NPN Silikon Rf Doppeltransistorreihe (2xBFR181W) für niedrige Geräusche, Breitbandverstärker des hohen Gewinnes | Infineon |
| 260210 | BFS481 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarmen, high-gain Breitbandverstärker am Kollektorstrom von 0.5 bis 12 MA) | Siemens |
| 260211 | BFS482 | NPN Silikon Rf Transistor für niedrigen noi... | Infineon |
| 260212 | BFS482 | NPN Silikon Rf Transistor (für die lärmarmen, high-gain Breitbandverstärker am Kollektorstrom von 1mA zu 20mA.) | Siemens |
| 260213 | BFS483 | Rf-Zweipolig - NPN Silikon Rf Doppeltransistorreihe (2xBFR183W) für niedrige Geräusche, Breitbandverstärker des hohen Gewinnes | Infineon |
| 260214 | BFS483 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarmen, high-gain Breitbandverstärker am colector Strom von 2mA zu 28mA) | Siemens |
| 260215 | BFS505 | NPN 9 Gigahertz Widebandtransistor | Philips |
| 260216 | BFS505 | NPN-9-GHz-Breitband-Transistor | NXP Semiconductors |
| 260217 | BFS520 | NPN 9 Gigahertz Widebandtransistor | Philips |
| 260218 | BFS520 | NPN-9-GHz-Breitband-Transistor | NXP Semiconductors |
| 260219 | BFS540 | NPN 9 Gigahertz Widebandtransistor | Philips |
| 260220 | BFS540 | NPN-9-GHz-Breitband-Transistor | NXP Semiconductors |
| 260221 | BFS89 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 260222 | BFS95 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 260223 | BFT12 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOR | Siemens |
| 260224 | BFT25 | NPN 2 Gigahertz Widebandtransistor | Philips |
| 260225 | BFT25 | NPN-Transistor 2-GHz-Breitband | NXP Semiconductors |
| 260226 | BFT25A | NPN 5 Gigahertz Widebandtransistor | Philips |
| 260227 | BFT25A | NPN-Transistor 5-GHz-Breitband | NXP Semiconductors |
| 260228 | BFT28C | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 260229 | BFT31 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto18. | SemeLAB |
| 260230 | BFT31 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto18. | SemeLAB |
| 260231 | BFT32 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 260232 | BFT32 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 260233 | BFT33A | NPN SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 260234 | BFT34 | Zweipolige NPN Vorrichtung. | SemeLAB |
| 260235 | BFT34 | Zweipolige NPN Vorrichtung. | SemeLAB |
| 260236 | BFT36A | PNP SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 260237 | BFT37 | BFT37 | SemeLAB |
| 260238 | BFT37 | BFT37 | SemeLAB |
| 260239 | BFT44 | Hochspannung-Transistoren Des Silikon-PNP | Philips |
| 260240 | BFT44 | PNP Silikon-Transistor | SemeLAB |
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