| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48961 | 2N6516 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - | Continental Device India Limited |
| 48962 | 2N6516 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48963 | 2N6517 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
| 48964 | 2N6517 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 48965 | 2N6517 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
| 48966 | 2N6517 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48967 | 2N6517 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 48968 | 2N6517 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 48969 | 2N6517 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 20 HFE - | Continental Device India Limited |
| 48970 | 2N6517 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
| 48971 | 2N6517 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 350V = VCEO. Tension collecteur-base: 350V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48972 | 2N6517BU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48973 | 2N6517CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48974 | 2N6517CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48975 | 2N6517RLRA | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 48976 | 2N6517RLRP | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 48977 | 2N6517TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48978 | 2N6518 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
| 48979 | 2N6518 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48980 | 2N6518 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 48981 | 2N6518 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = 250V. Tension collecteur-base: VCBO = 250V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48982 | 2N6518BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48983 | 2N6518TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48984 | 2N6519 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
| 48985 | 2N6519 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
| 48986 | 2N6519 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48987 | 2N6519 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 48988 | 2N6519 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 48989 | 2N6519 | 0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - | Continental Device India Limited |
| 48990 | 2N6519 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
| 48991 | 2N6519 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -300V. Tension collecteur-base: VCBO = -300V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48992 | 2N6519BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48993 | 2N6519RLRA | Transistors à haute tension | ON Semiconductor |
| 48994 | 2N6519TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48995 | 2N6520 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
| 48996 | 2N6520 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 48997 | 2N6520 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
| 48998 | 2N6520 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48999 | 2N6520 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 49000 | 2N6520 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
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