| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 505441 | HSK122 | Petite Diode De Signal | Hitachi Semiconductor |
| 505442 | HSK122 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505443 | HSK2474I | Transistors MOSFET De N-Canal | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 505444 | HSK2474J | Transistors MOSFET De N-Canal | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 505445 | HSK83 | Petite Diode De Signal | Hitachi Semiconductor |
| 505446 | HSK83 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505447 | HSL226 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505448 | HSL278 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505449 | HSM101 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505450 | HSM101 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505451 | HSM102 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505452 | HSM102 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505453 | HSM103 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505454 | HSM103 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505455 | HSM104 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505456 | HSM104 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505457 | HSM105 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505458 | HSM105 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505459 | HSM106 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 600 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 505460 | HSM106 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DU REDRESSEUR EXTÉRIEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ DE BÂTI | DC Components |
| 505461 | HSM107 | Diode de barrière de Schottky de silicium pour la protection de système | Hitachi Semiconductor |
| 505462 | HSM107S | Diodes>Switching | Renesas |
| 505463 | HSM107S | Diode de barrière de Schottky de silicium pour la protection de système | Hitachi Semiconductor |
| 505464 | HSM1100 | Redresseur De 1 Ampère Schottky | Microsemi |
| 505465 | HSM1100G | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505466 | HSM1100J | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505467 | HSM123 | Diodes>Switching | Renesas |
| 505468 | HSM124 | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation | Hitachi Semiconductor |
| 505469 | HSM124S | Petite Diode De Signal | Hitachi Semiconductor |
| 505470 | HSM124S | Diodes>Switching | Renesas |
| 505471 | HSM126S | Diodes>Switching | Renesas |
| 505472 | HSM126S | Diode de barrière de Schottky de silicium pour la protection de système | Hitachi Semiconductor |
| 505473 | HSM150 | Redresseur De 1 Ampère Schottky | Microsemi |
| 505474 | HSM150 MELF | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505475 | HSM150G | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505476 | HSM150J | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505477 | HSM150MELF | Redresseur Schottky | Microsemi |
| 505478 | HSM160 | Redresseur De 1 Ampère Schottky | Microsemi |
| 505479 | HSM160 MELF | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 505480 | HSM160G | Redresseur De Schottky | Microsemi |
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