| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 52361 | 2SB549 | (2SB548) Transistor Épitaxial De Silicium de PNP/npn | NEC |
| 52362 | 2SB554 | Applications D'Amplificateur De Puissance | TOSHIBA |
| 52363 | 2SB555 | TRANSISTOR DIFFUS TRIPLE DE MESA DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 52364 | 2SB556 | TRANSISTOR DIFFUS TRIPLE DE MESA DU SILICIUM PNP | Unknow |
| 52365 | 2SB557 | TRANSISTOR DIFFUS TRIPLE DE MESA DE L'ICÔNE PNP | Unknow |
| 52366 | 2SB559 | Puissance De basse fréquence Ampère, Applications Moyennes De Commutation De Vitesse | Unknow |
| 52367 | 2SB560 | Applications De basse fréquence D'Ampère De Puissance | SANYO |
| 52368 | 2SB561 | Transistor Du Silicium PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52369 | 2SB561 | Silicium PNP Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52370 | 2SB561 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52371 | 2SB562 | Transistor Du Silicium PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52372 | 2SB562 | Silicium PNP Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52373 | 2SB562 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52374 | 2SB564 | TRANSISTOR DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 52375 | 2SB564A | Amplificateur audio de puissance à haute fréquence. Tension collecteur-base VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation PC (max) = 800mW. Courant de collecteur IC = -1.0A | USHA India LTD |
| 52376 | 2SB566 | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 52377 | 2SB566 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52378 | 2SB566(K) | Transistor Du Silicium PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52379 | 2SB566A | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 52380 | 2SB566A | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52381 | 2SB566A(K) | Transistor Du Silicium PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52382 | 2SB566AK | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 52383 | 2SB566K | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 52384 | 2SB592 | Transistor de silicium NPN 750mW | Micro Electronics |
| 52385 | 2SB592A | Transistor de silicium NPN 750mW | Micro Electronics |
| 52386 | 2SB595 | PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIER(pnp EPITAXUAL) | Wing Shing Computer Components |
| 52387 | 2SB596 | PUISSANCE TRANSISTORS(4.0a, 80v, 30w) | MOSPEC Semiconductor |
| 52388 | 2SB596 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE DU SILICIUM TRANSISTOR(low DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
| 52389 | 2SB598 | POUR LA PUISSANCE AMPÈRE DE FRÉQUENCE SONORE, CONVERTISSEURS, GOUVERNEURS ÉLECTRONIQUES | SANYO |
| 52390 | 2SB601 | Transistor de silicium | NEC |
| 52391 | 2SB601-S | Transistor de silicium | NEC |
| 52392 | 2SB601-Z | Transistor de silicium | NEC |
| 52393 | 2SB605 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | NEC |
| 52394 | 2SB621 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 52395 | 2SB621 | Transistor de silicium NPN 750mW | Micro Electronics |
| 52396 | 2SB621A | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 52397 | 2SB621A | Transistor de silicium NPN 750mW | Micro Electronics |
| 52398 | 2SB624 | MOULE DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE L'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE PNP MINI | NEC |
| 52399 | 2SB624-L | Transistor de silicium | NEC |
| 52400 | 2SB624-T1B | Transistor de silicium | NEC |
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