| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 52361 | 2SB549 | (2SB548) Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP/NPN | NEC |
| 52362 | 2SB554 | Aplicações Do Amplificador De Poder | TOSHIBA |
| 52363 | 2SB555 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLO DO MESA DO SILICONE PNP | Unknow |
| 52364 | 2SB556 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLO DO MESA DO SILICONE PNP | Unknow |
| 52365 | 2SB557 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLO DO MESA DO ÍCONE PNP | Unknow |
| 52366 | 2SB559 | Poder Ampère Da Freqüência Baixa, Aplicações Médias Do Switching Da Velocidade | Unknow |
| 52367 | 2SB560 | Aplicações Do Ampère Do Poder Da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 52368 | 2SB561 | Transistor Do Silicone PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52369 | 2SB561 | Silicone PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52370 | 2SB561 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52371 | 2SB562 | Transistor Do Silicone PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52372 | 2SB562 | Silicone PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52373 | 2SB562 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52374 | 2SB564 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 52375 | 2SB564A | Amplificador de potência de áudio freqüência. Tensão coletor-base de VCBO = -30V. Tensão coletor-emissor VCEO = -25V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector PC (max) = 800mW. Coletor de corrente Ic = -1.0A. | USHA India LTD |
| 52376 | 2SB566 | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52377 | 2SB566 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52378 | 2SB566(K) | Transistor Do Silicone PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52379 | 2SB566A | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52380 | 2SB566A | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52381 | 2SB566A(K) | Transistor Do Silicone PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52382 | 2SB566AK | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52383 | 2SB566K | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52384 | 2SB592 | 750mW NPN transistor de silício | Micro Electronics |
| 52385 | 2SB592A | 750mW NPN transistor de silício | Micro Electronics |
| 52386 | 2SB595 | PODER AMPLIFIER(PNP EPITAXUAL DA FREQÜÊNCIA BAIXA) | Wing Shing Computer Components |
| 52387 | 2SB596 | PODER TRANSISTORS(4.0A, 80v, 30w) | MOSPEC Semiconductor |
| 52388 | 2SB596 | AMPLIFICADOR DE PODER EPITAXIAL DA FREQÜÊNCIA DO SILICONE TRANSISTOR(LOW DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
| 52389 | 2SB598 | PARA O PODER AMPÈRE DA FREQÜÊNCIA AUDIO, CONVERSORES, REGULADORES ELETRÔNICOS | SANYO |
| 52390 | 2SB601 | Transistor do silicone | NEC |
| 52391 | 2SB601-S | Transistor do silicone | NEC |
| 52392 | 2SB601-Z | Transistor do silicone | NEC |
| 52393 | 2SB605 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | NEC |
| 52394 | 2SB621 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 52395 | 2SB621 | 750mW NPN transistor de silício | Micro Electronics |
| 52396 | 2SB621A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 52397 | 2SB621A | 750mW NPN transistor de silício | Micro Electronics |
| 52398 | 2SB624 | MOLDE MINI DO TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DO AMPLIFICADOR DE PODER PNP DA FREQÜÊNCIA AUDIO | NEC |
| 52399 | 2SB624-L | Transistor do silicone | NEC |
| 52400 | 2SB624-T1B | Transistor do silicone | NEC |
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