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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
540012SC3245A2SC3245Unknow
540022SC3245A2SC3245Unknow
540032SC3245A900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 150V VCEO, 100mA Ic, 150 à 500 hFE. 2SA1285A complémentaireIsahaya Electronics Corporation
540042SC3246900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 25V VCEO, 1,5 Ic, 400 à 3000 hFE. 2SA1286 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
540052SC3247POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE L'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation
540062SC3247POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE L'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation
540072SC3247POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE L'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS APPLICAITONIsahaya Electronics Corporation
540082SC3249POUR LE PETIT TYPE APPLICATION DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVIsahaya Electronics Corporation
540092SC3249POUR LE PETIT TYPE APPLICATION DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVIsahaya Electronics Corporation
540102SC3249POUR LE PETIT TYPE APPLICATION DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVIsahaya Electronics Corporation
540112SC3253Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/ä De Silicium de NPNSANYO
540122SC3254Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/7a De Silicium de NPNSANYO
540132SC3255Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/10a De Silicium de NPNSANYO
540142SC3256Applications À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 60V/1ä De Silicium de NPNSANYO
540152SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
540162SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
540172SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
540182SC3258Type Épitaxial Du Silicium NPNTOSHIBA
540192SC3263Silicium NPN Transistor(Audio planaire épitaxial et usage universel)Sanken



540202SC3264PUISSANCE TRANSISTORS(17a, 230v, 200w)MOSPEC Semiconductor
540212SC3264Silicium NPN Transistor(Audio planaire épitaxial et usage universel)Sanken
540222SC3265Les applications de basse fréquence épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
540232SC3266Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
540242SC3267Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
540252SC3268Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
540262SC3269TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
540272SC3269LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
540282SC3269TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
540292SC3269LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
540302SC3269TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
540312SC3269LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
540322SC3269Transistor NPN silicium pour des applications flash stroboscopique et des applications d'amplificateur de puissance moyenneTOSHIBA
540332SC3271FAmplificateur De Chroma Transistor(300V, 0.1A)ROHM
540342SC3271FAmplificateur De Chroma Transistor(300V, 0.1A)ROHM
540352SC3271FAmplificateur De Chroma Transistor(300V, 0.1A)ROHM
540362SC3272Transistor Planaire De Silicium de NPN Diffus Par TripleROHM
540372SC3272Transistor Planaire De Silicium de NPN Diffus Par TripleROHM
540382SC3272Transistor Planaire De Silicium de NPN Diffus Par TripleROHM
540392SC3277Applications Planaires Diffuses Triples De Régulateur De Commutation Du Transistor 400V/10a De Silicium de NPNSANYO
540402SC3279Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
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