|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1346 | 1347 | 1348 | 1349 | 1350 | 1351 | 1352 | 1353 | 1354 | 1355 | 1356 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
540012SC3245A2SC3245Unknow
540022SC3245A2SC3245Unknow
540032SC3245A900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 150V VCEO, 100мА Ic, от 150 до 500 HFE. Дополнительные 2SA1285AIsahaya Electronics Corporation
540042SC3246900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 1.5A Ic, от 400 до 3000 HFE. Дополнительные 2SA1286Isahaya Electronics Corporation
540052SC3247ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ APPLICAITON ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
540062SC3247ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ APPLICAITON ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
540072SC3247ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ APPLICAITON ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
540082SC3249ДЛЯ МАЛОГО ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ ТИПАIsahaya Electronics Corporation
540092SC3249ДЛЯ МАЛОГО ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ ТИПАIsahaya Electronics Corporation
540102SC3249ДЛЯ МАЛОГО ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ ТИПАIsahaya Electronics Corporation
540112SC3253Применения Переключения Скорости Транзисторов 60V/5ЈA Кремния NPN Эпитаксиальные Плоскостные ВысокиеSANYO
540122SC3254Применения Переключения Скорости Транзисторов 60V/7A Кремния NPN Эпитаксиальные Плоскостные ВысокиеSANYO
540132SC3255Применения Переключения Скорости Транзисторов 60V/10A Кремния NPN Эпитаксиальные Плоскостные ВысокиеSANYO
540142SC3256Применения Переключения Скорости Транзисторов 60V/15ЈA Кремния NPN Эпитаксиальные Плоскостные ВысокиеSANYO
540152SC3257ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС PCT)TOSHIBA
540162SC3257ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС PCT)TOSHIBA
540172SC3257ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС PCT)TOSHIBA
540182SC3258Тип Кремния NPN ЭпитаксиальныйTOSHIBA
540192SC3263Кремний NPN эпитаксиальное плоскостное Transistor(Audio и general purpose)Sanken
540202SC3264СИЛА TRANSISTORS(17A, 230v, 200w)MOSPEC Semiconductor
540212SC3264Кремний NPN эпитаксиальное плоскостное Transistor(Audio и general purpose)Sanken
540222SC3265Применения переключения силы применений усилителя силы низкой частотности типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)TOSHIBA
540232SC3266Применения переключения силы применений усилителя силы типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)TOSHIBA
540242SC3267Применения переключения силы применений усилителя силы типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)TOSHIBA
540252SC3268Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия гигагерца fT=16)TOSHIBA
540262SC3269ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRTROHM
540272SC3269СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ MECHINEROHM
540282SC3269ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRTROHM
540292SC3269СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ MECHINEROHM
540302SC3269ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRTROHM
540312SC3269СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ MECHINEROHM
540322SC3269Кремния NPN-транзистор для стробоскоп флэш-приложений и приложений усилителей мощности среднегоTOSHIBA
540332SC3271FУсилитель Transistor(300V Chroma, 0.1A)ROHM
540342SC3271FУсилитель Transistor(300V Chroma, 0.1A)ROHM
540352SC3271FУсилитель Transistor(300V Chroma, 0.1A)ROHM
540362SC3272Отраженный Триппелем Плоскостной Транзистор Кремния NPNROHM
540372SC3272Отраженный Триппелем Плоскостной Транзистор Кремния NPNROHM
540382SC3272Отраженный Триппелем Плоскостной Транзистор Кремния NPNROHM
540392SC3277Применения Регулятора Переключения Транзистора 400V/10A Кремния NPN Втройне Отраженные ПлоскостныеSANYO
540402SC3279Применений вспышки строба типа кремния NPN транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса pct) средствTOSHIBA
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1346 | 1347 | 1348 | 1349 | 1350 | 1351 | 1352 | 1353 | 1354 | 1355 | 1356 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com