Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
54121 | 2SC3351-L | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту. | NEC |
54122 | 2SC3351-T1B | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту. | NEC |
54123 | 2SC3351-T2B | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту. | NEC |
54124 | 2SC3352 | Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa Тип | Panasonic |
54125 | 2SC3352A | Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa Тип | Panasonic |
54126 | 2SC3353 | Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa Тип | Panasonic |
54127 | 2SC3353A | Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa Тип | Panasonic |
54128 | 2SC3354 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Высок-Castota для тюнеров | Panasonic |
54129 | 2SC3355 | ПРЕССФОРМА ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ НИЗКИХ ШТЫРЕЙ ТРАНЗИСТОРА
4 КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СУПЕР МИНИАЯ | NEC |
54130 | 2SC3355-T | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту | NEC |
54131 | 2SC3356 | КРЕМНИЯ ШУМА AMPLIFIER(NPN МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ) | NEC |
54132 | 2SC3356-L | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту | NEC |
54133 | 2SC3356-T1B | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту | NEC |
54134 | 2SC3356-T2B | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту | NEC |
54135 | 2SC3356-VM | Для усиления низкий уровень шума и высокую частоту | NEC |
54136 | 2SC3357 | СИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА
ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯ | NEC |
54137 | 2SC3357-T1 | Для усиления высокой частоты и низкого уровня шума. | NEC |
54138 | 2SC3357-T2 | Для усиления высокой частоты и низкого уровня шума. | NEC |
54139 | 2SC3359S | Транзисторы > малый сигнал двухполярное
Transistors(up к 0.6W) | ROHM |
54140 | 2SC3360 | ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО
ТРАНЗИСТОРА УСИЛИТЕЛЯ И КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN МИНИАЯ | NEC |
54141 | 2SC3360-L | Транзистор кремния | NEC |
54142 | 2SC3360-T1B | Транзистор кремния | NEC |
54143 | 2SC3360-T2B | Транзистор кремния | NEC |
54144 | 2SC3361 | Транзисторов Кремния NPN Применения Переключения
Скорости Эпитаксиальных Плоскостных Высокие | SANYO |
54145 | 2SC3365 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
54146 | 2SC3365 | Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния
NPN Втройне Отраженные Type(High) | Hitachi Semiconductor |
54147 | 2SC3365 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
54148 | 2SC3369 | Плоскостное Кремния NPN Эпитаксиальное | National Semiconductor |
54149 | 2SC3369 | Плоскостное Кремния NPN Эпитаксиальное | National Semiconductor |
54150 | 2SC3369 | Плоскостное Кремния NPN Эпитаксиальное | National Semiconductor |
54151 | 2SC3369 | Транзистор - Тип кремния NPN эпитаксиальный плоскостной | Panasonic |
54152 | 2SC3374 | УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ
VHF | Hitachi Semiconductor |
54153 | 2SC3374 | УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ
VHF | Hitachi Semiconductor |
54154 | 2SC3374 | УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ
VHF | Hitachi Semiconductor |
54155 | 2SC3376 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО
НАПРЯЖЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА
DC-DC. | TOSHIBA |
54156 | 2SC3377 | Эпитаксиальный Плоскостной Транзистор Кремния
NPN | ROHM |
54157 | 2SC3379 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
54158 | 2SC3380 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
54159 | 2SC3380 | Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния
NPN Втройне Отраженные Type(High) | Hitachi Semiconductor |
54160 | 2SC3380 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| | | |