|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1349 | 1350 | 1351 | 1352 | 1353 | 1354 | 1355 | 1356 | 1357 | 1358 | 1359 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
541212SC3351-LДля усиления низкий уровень шума и высокую частоту.NEC
541222SC3351-T1BДля усиления низкий уровень шума и высокую частоту.NEC
541232SC3351-T2BДля усиления низкий уровень шума и высокую частоту.NEC
541242SC3352Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa ТипPanasonic
541252SC3352AМощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa ТипPanasonic
541262SC3353Мощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa ТипPanasonic
541272SC3353AМощность транзистор - кремния NPN Triple-отраженный Junction Mesa ТипPanasonic
541282SC3354Small-signal приспособление - small-signal транзистор - Высок-Castota для тюнеровPanasonic
541292SC3355ПРЕССФОРМА ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ НИЗКИХ ШТЫРЕЙ ТРАНЗИСТОРА 4 КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СУПЕР МИНИАЯNEC
541302SC3355-TДля усиления низкий уровень шума и высокую частотуNEC
541312SC3356КРЕМНИЯ ШУМА AMPLIFIER(NPN МИКРОВОЛНЫ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ)NEC
541322SC3356-LДля усиления низкий уровень шума и высокую частотуNEC
541332SC3356-T1BДля усиления низкий уровень шума и высокую частотуNEC
541342SC3356-T2BДля усиления низкий уровень шума и высокую частотуNEC
541352SC3356-VMДля усиления низкий уровень шума и высокую частотуNEC
541362SC3357СИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯNEC
541372SC3357-T1Для усиления высокой частоты и низкого уровня шума.NEC
541382SC3357-T2Для усиления высокой частоты и низкого уровня шума.NEC
541392SC3359SТранзисторы > малый сигнал двухполярное Transistors(up к 0.6W)ROHM
541402SC3360ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА УСИЛИТЕЛЯ И КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN МИНИАЯNEC
541412SC3360-LТранзистор кремнияNEC
541422SC3360-T1BТранзистор кремнияNEC
541432SC3360-T2BТранзистор кремнияNEC
541442SC3361Транзисторов Кремния NPN Применения Переключения Скорости Эпитаксиальных Плоскостных ВысокиеSANYO
541452SC3365Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
541462SC3365Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
541472SC3365Transistors>Switching/BipolarRenesas
541482SC3369Плоскостное Кремния NPN ЭпитаксиальноеNational Semiconductor
541492SC3369Плоскостное Кремния NPN ЭпитаксиальноеNational Semiconductor
541502SC3369Плоскостное Кремния NPN ЭпитаксиальноеNational Semiconductor
541512SC3369Транзистор - Тип кремния NPN эпитаксиальный плоскостнойPanasonic
541522SC3374УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ VHFHitachi Semiconductor
541532SC3374УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ VHFHitachi Semiconductor
541542SC3374УСИЛИТЕЛЬ RF ТЮНЕРА VHF TV УСИЛИТЕЛЯ VHFHitachi Semiconductor
541552SC3376ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ. РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC.TOSHIBA
541562SC3377Эпитаксиальный Плоскостной Транзистор Кремния NPNROHM
541572SC3379ТРАНЗИСТОР СИЛЫ MITSUBISHI RFMitsubishi Electric Corporation
541582SC3380Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
541592SC3380Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния NPN Втройне Отраженные Type(High)Hitachi Semiconductor
541602SC3380Transistors>Amplifiers/BipolarRenesas
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1349 | 1350 | 1351 | 1352 | 1353 | 1354 | 1355 | 1356 | 1357 | 1358 | 1359 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com