| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 54121 | 2SC3351-L | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz. | NEC |
| 54122 | 2SC3351-T1B | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz. | NEC |
| 54123 | 2SC3351-T2B | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz. | NEC |
| 54124 | 2SC3352 | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
| 54125 | 2SC3352A | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
| 54126 | 2SC3353 | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
| 54127 | 2SC3353A | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
| 54128 | 2SC3354 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz für Tuners | Panasonic |
| 54129 | 2SC3355 | NIEDRIGES HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 54130 | 2SC3355-T | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz | NEC |
| 54131 | 2SC3356 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DER GERÄUSCH-AMPLIFIER(NPN) | NEC |
| 54132 | 2SC3356-L | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz | NEC |
| 54133 | 2SC3356-T1B | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz | NEC |
| 54134 | 2SC3356-T2B | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz | NEC |
| 54135 | 2SC3356-VM | Für verstärken geringem Rauschen und hoher Frequenz | NEC |
| 54136 | 2SC3357 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54137 | 2SC3357-T1 | Für verstärken hoher Frequenz und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54138 | 2SC3357-T2 | Für verstärken hoher Frequenz und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54139 | 2SC3359S | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 54140 | 2SC3360 | HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKER-UND SCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 54141 | 2SC3360-L | Silikontransistor | NEC |
| 54142 | 2SC3360-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54143 | 2SC3360-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 54144 | 2SC3361 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 54145 | 2SC3365 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54146 | 2SC3365 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 54147 | 2SC3365 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 54148 | 2SC3369 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | National Semiconductor |
| 54149 | 2SC3369 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | National Semiconductor |
| 54150 | 2SC3369 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | National Semiconductor |
| 54151 | 2SC3369 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
| 54152 | 2SC3374 | VHF VERSTÄRKER-VHF FERNSEHAPPARAT TUNER-RF VERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
| 54153 | 2SC3374 | VHF VERSTÄRKER-VHF FERNSEHAPPARAT TUNER-RF VERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
| 54154 | 2SC3374 | VHF VERSTÄRKER-VHF FERNSEHAPPARAT TUNER-RF VERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
| 54155 | 2SC3376 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 54156 | 2SC3377 | Epitaxial- Planarer NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 54157 | 2SC3379 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54158 | 2SC3380 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54159 | 2SC3380 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 54160 | 2SC3380 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
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