| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 54321 | 2SC3552 | Silikon Epitaxial- Planare Transistor(GENERAL BESCHREIBUNG) | Wing Shing Computer Components |
| 54322 | 2SC3553 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54323 | 2SC3553 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 54324 | 2SC3554 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54325 | 2SC3554-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 54326 | 2SC3554-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 54327 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54328 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54329 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54330 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54331 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54332 | 2SC3567 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54333 | 2SC3568 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54334 | 2SC3569 | Silikontransistor | NEC |
| 54335 | 2SC3571 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54336 | 2SC3572 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54337 | 2SC3572 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54338 | 2SC3572 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 54339 | 2SC3576 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 54340 | 2SC3580 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 20V Vceo, 700mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SA1398 | Isahaya Electronics Corporation |
| 54341 | 2SC3581 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 50V Vceo, 400mA Ic, 90-500 hFE. Ergänzende 2SA1399 | Isahaya Electronics Corporation |
| 54342 | 2SC3582 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 54343 | 2SC3582-T | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54344 | 2SC3583 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 54345 | 2SC3583-L | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54346 | 2SC3583-T1B | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54347 | 2SC3583-T2B | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54348 | 2SC3585 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON EPITAXIAL- TRANSISOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 54349 | 2SC3585-L | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54350 | 2SC3585-T1B | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54351 | 2SC3585-T2B | Für Amplify Mikrowelle und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
| 54352 | 2SC3587 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR MIKROWELLE LOW-NOISE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 54353 | 2SC3588 | NPN SILIKON-DREIERGRUPPE ZERSTREUTER TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54354 | 2SC3588-Z | NPN SILIKON-DREIERGRUPPE ZERSTREUTER TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54355 | 2SC3591 | High-Definition CRT Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54356 | 2SC3595 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor Ultrahoch-Definition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
| 54357 | 2SC3596 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Ultrahoch-Difinition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
| 54358 | 2SC3597 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Ultrahoch-Difinition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
| 54359 | 2SC3598 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Ultrahoch-Difinition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
| 54360 | 2SC3599 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Ultrahoch-Difinition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
| | | |
