| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 54481 | 2SC3710 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 54482 | 2SC3710A | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 54483 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
| 54484 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
| 54485 | 2SC3722 | EPITAXIAL- PLANARER NPN SILIKON-TRANSISTOR | ROHM |
| 54486 | 2SC3722 | EPITAXIAL- PLANARER NPN SILIKON-TRANSISTOR | ROHM |
| 54487 | 2SC3722K | EPITAXIAL- PLANARER NPN SILIKON-TRANSISTOR | ROHM |
| 54488 | 2SC3722K | EPITAXIAL- PLANARER NPN SILIKON-TRANSISTOR | ROHM |
| 54489 | 2SC3723 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 54490 | 2SC3723 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 54491 | 2SC3724 | HOCHSPANNUNG, SCHNELLSCHALTUNG | Unknow |
| 54492 | 2SC3724 | HOCHSPANNUNG, SCHNELLSCHALTUNG | Unknow |
| 54493 | 2SC3725 | HOCHSPANNUNG, SCHNELLSCHALTUNG | Unknow |
| 54494 | 2SC3725 | HOCHSPANNUNG, SCHNELLSCHALTUNG | Unknow |
| 54495 | 2SC3728 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 54496 | 2SC3728 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 54497 | 2SC3731 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 54498 | 2SC3732 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 54499 | 2SC3733 | NPN-Transistor für Leistungsverstärker und Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen | NEC |
| 54500 | 2SC3734 | HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE DES VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
| 54501 | 2SC3734-L | Silikontransistor | NEC |
| 54502 | 2SC3734-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54503 | 2SC3734-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 54504 | 2SC3735 | SCHNELLSCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54505 | 2SC3735-L | Silikontransistor | NEC |
| 54506 | 2SC3735-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54507 | 2SC3735-T2B | SCHNELLSCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54508 | 2SC3736 | Silikontransistor | NEC |
| 54509 | 2SC3736-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 54510 | 2SC3736-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 54511 | 2SC3737 | Energie Transistor - Silicon PNP Triple Diffuse Planare Art | Panasonic |
| 54512 | 2SC3738 | Silikon-NPN dreifache Diffusions planaren Typ | Panasonic |
| 54513 | 2SC3739 | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-UND SCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54514 | 2SC3739-L | Silikontransistor | NEC |
| 54515 | 2SC3739-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54516 | 2SC3739-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 54517 | 2SC3743 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Swicthing | Panasonic |
| 54518 | 2SC3746 | NPN Epitaxial- Planare Schnellschaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-60V/5A | SANYO |
| 54519 | 2SC3747 | NPN Epitaxial- Planare Schnellschaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-60V/7A | SANYO |
| 54520 | 2SC3748 | NPN Epitaxial- Planare Schnellschaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-60V/10A | SANYO |
| | | |
