Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
54481 | 2SC3710 | TIPO EPITAXIAL DE NPN (ALTOS USOS ACTUALES DE LA CONMUTACIÓN) | TOSHIBA |
54482 | 2SC3710A | USOS ACTUALES EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR ALTOS (PROCESO DEL PCT). | TOSHIBA |
54483 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
54484 | 2SC3714 | 2SC3714 | Shindengen |
54485 | 2SC3722 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | ROHM |
54486 | 2SC3722 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | ROHM |
54487 | 2SC3722K | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | ROHM |
54488 | 2SC3722K | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | ROHM |
54489 | 2SC3723 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
54490 | 2SC3723 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
54491 | 2SC3724 | ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD | Unknow |
54492 | 2SC3724 | ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD | Unknow |
54493 | 2SC3725 | ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD | Unknow |
54494 | 2SC3725 | ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD | Unknow |
54495 | 2SC3728 | PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN | Isahaya Electronics Corporation |
54496 | 2SC3728 | PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN | Isahaya Electronics Corporation |
54497 | 2SC3731 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54498 | 2SC3732 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54499 | 2SC3733 | NPN transistor de amplificador de potencia y aplicaciones de conmutación de alta velocidad | NEC |
54500 | 2SC3734 | MINI MOLDE DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA FRECUENCIA DEL TRANSISTOR | NEC |
54501 | 2SC3734-L | Transistor del silicio | NEC |
54502 | 2SC3734-T1B | Transistor del silicio | NEC |
54503 | 2SC3734-T2B | Transistor del silicio | NEC |
54504 | 2SC3735 | MINI MOLDE DE LA CONMUTACIÓN NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL TRANSISTOR | NEC |
54505 | 2SC3735-L | Transistor del silicio | NEC |
54506 | 2SC3735-T1B | Transistor del silicio | NEC |
54507 | 2SC3735-T2B | MINI MOLDE DE LA CONMUTACIÓN NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL TRANSISTOR | NEC |
54508 | 2SC3736 | Transistor del silicio | NEC |
54509 | 2SC3736-T1 | Transistor del silicio | NEC |
54510 | 2SC3736-T2 | Transistor del silicio | NEC |
54511 | 2SC3737 | Transistor de energía - Silicio PNP Difundido Triple-Planar Tipo | Panasonic |
54512 | 2SC3738 | Silicio NPN difusión triple de tipo planar | Panasonic |
54513 | 2SC3739 | MOLDE DE ALTA FRECUENCIA DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL AMPLIFICADOR Y DEL SILICIO DE LA CONMUTACIÓN NPN MINI | NEC |
54514 | 2SC3739-L | Transistor del silicio | NEC |
54515 | 2SC3739-T1B | Transistor del silicio | NEC |
54516 | 2SC3739-T2B | Transistor del silicio | NEC |
54517 | 2SC3743 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Swicthing | Panasonic |
54518 | 2SC3746 | Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/Ä Del Silicio de NPN | SANYO |
54519 | 2SC3747 | Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/7A Del Silicio de NPN | SANYO |
54520 | 2SC3748 | Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/10A Del Silicio de NPN | SANYO |
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