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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
544812SC3710TIPO EPITAXIAL DE NPN (ALTOS USOS ACTUALES DE LA CONMUTACIÓN)TOSHIBA
544822SC3710AUSOS ACTUALES EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR ALTOS (PROCESO DEL PCT).TOSHIBA
544832SC37142SC3714Shindengen
544842SC37142SC3714Shindengen
544852SC3722TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNROHM
544862SC3722TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNROHM
544872SC3722KTRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNROHM
544882SC3722KTRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNROHM
544892SC3723TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDEUnknow
544902SC3723TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDEUnknow
544912SC3724ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDADUnknow
544922SC3724ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDADUnknow
544932SC3725ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDADUnknow
544942SC3725ALTO VOLTAJE, CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDADUnknow
544952SC3728PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
544962SC3728PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
544972SC3731TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPNNEC
544982SC3732TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPNNEC
544992SC3733NPN transistor de amplificador de potencia y aplicaciones de conmutación de alta velocidadNEC



545002SC3734MINI MOLDE DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA FRECUENCIA DEL TRANSISTORNEC
545012SC3734-LTransistor del silicioNEC
545022SC3734-T1BTransistor del silicioNEC
545032SC3734-T2BTransistor del silicioNEC
545042SC3735MINI MOLDE DE LA CONMUTACIÓN NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL TRANSISTORNEC
545052SC3735-LTransistor del silicioNEC
545062SC3735-T1BTransistor del silicioNEC
545072SC3735-T2BMINI MOLDE DE LA CONMUTACIÓN NPN DEL SILICIO DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL TRANSISTORNEC
545082SC3736Transistor del silicioNEC
545092SC3736-T1Transistor del silicioNEC
545102SC3736-T2Transistor del silicioNEC
545112SC3737Transistor de energía - Silicio PNP Difundido Triple-Planar TipoPanasonic
545122SC3738Silicio NPN difusión triple de tipo planarPanasonic
545132SC3739MOLDE DE ALTA FRECUENCIA DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL AMPLIFICADOR Y DEL SILICIO DE LA CONMUTACIÓN NPN MININEC
545142SC3739-LTransistor del silicioNEC
545152SC3739-T1BTransistor del silicioNEC
545162SC3739-T2BTransistor del silicioNEC
545172SC3743Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - SwicthingPanasonic
545182SC3746Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/Ä Del Silicio de NPNSANYO
545192SC3747Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/7A Del Silicio de NPNSANYO
545202SC3748Usos De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación De los Transistores 60V/10A Del Silicio de NPNSANYO
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