| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 54121 | 2SC3351-L | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência. | NEC |
| 54122 | 2SC3351-T1B | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência. | NEC |
| 54123 | 2SC3351-T2B | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência. | NEC |
| 54124 | 2SC3352 | Transistor Power - Tipo NPN Silicon Triple-Difuso junção Mesa | Panasonic |
| 54125 | 2SC3352A | Transistor Power - Tipo NPN Silicon Triple-Difuso junção Mesa | Panasonic |
| 54126 | 2SC3353 | Transistor Power - Tipo NPN Silicon Triple-Difuso junção Mesa | Panasonic |
| 54127 | 2SC3353A | Transistor Power - Tipo NPN Silicon Triple-Difuso junção Mesa | Panasonic |
| 54128 | 2SC3354 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Elevado-Freqüência para tuners | Panasonic |
| 54129 | 2SC3355 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
| 54130 | 2SC3355-T | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência | NEC |
| 54131 | 2SC3356 | DO SILICONE BAIXO DO RUÍDO AMPLIFIER(NPN DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL) | NEC |
| 54132 | 2SC3356-L | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência | NEC |
| 54133 | 2SC3356-T1B | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência | NEC |
| 54134 | 2SC3356-T2B | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência | NEC |
| 54135 | 2SC3356-VM | Para amplificar baixo ruído e alta freqüência | NEC |
| 54136 | 2SC3357 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI | NEC |
| 54137 | 2SC3357-T1 | Para amplificar alta freqüência e baixo ruído. | NEC |
| 54138 | 2SC3357-T2 | Para amplificar alta freqüência e baixo ruído. | NEC |
| 54139 | 2SC3359S | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 54140 | 2SC3360 | MOLDE MINI DE ALTA TENSÃO DO TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DO AMPLIFICADOR E DO SWITCHING NPN | NEC |
| 54141 | 2SC3360-L | Transistor do silicone | NEC |
| 54142 | 2SC3360-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 54143 | 2SC3360-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 54144 | 2SC3361 | Dos Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN Aplicações De alta velocidade Do Switching | SANYO |
| 54145 | 2SC3365 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54146 | 2SC3365 | Triplo Do Silicone NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 54147 | 2SC3365 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 54148 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | National Semiconductor |
| 54149 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | National Semiconductor |
| 54150 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | National Semiconductor |
| 54151 | 2SC3369 | Transistor - Tipo Silício NPN planar epitaxial | Panasonic |
| 54152 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DO RF DO TUNER DA TEVÊ DO VHF DO AMPLIFICADOR DO VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54153 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DO RF DO TUNER DA TEVÊ DO VHF DO AMPLIFICADOR DO VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54154 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DO RF DO TUNER DA TEVÊ DO VHF DO AMPLIFICADOR DO VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54155 | 2SC3376 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
| 54156 | 2SC3377 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | ROHM |
| 54157 | 2SC3379 | TRANSISTOR DE PODER DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54158 | 2SC3380 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54159 | 2SC3380 | Triplo Do Silicone NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 54160 | 2SC3380 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
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