Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
881921 | MJE253 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
881922 | MJE253 | Puissance  100V PNP | ON Semiconductor |
881923 | MJE254 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Central Semiconductor |
881924 | MJE254 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Central Semiconductor |
881925 | MJE270 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE 2,0 AMPÈRES 100 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
881926 | MJE270 | Puissance À 100V NPN Complémentaire | ON Semiconductor |
881927 | MJE270 | Puissance À 100V NPN Complémentaire | ON Semiconductor |
881928 | MJE270 | 15.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 4.000A Ic, 500 hFE. | Continental Device India Limited |
881929 | MJE270-D | Transistors De Puissance Complémentaires De Silicium NPN | ON Semiconductor |
881930 | MJE271 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE 2,0 AMPÈRES 100 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
881931 | MJE271 | Puissance À 100V PNP | ON Semiconductor |
881932 | MJE271 | Puissance À 100V PNP | ON Semiconductor |
881933 | MJE2801 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a/60V/75W) | MOSPEC Semiconductor |
881934 | MJE2801T | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881935 | MJE2801T | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
881936 | MJE2901T | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881937 | MJE2901T | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
881938 | MJE2955 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881939 | MJE2955-G | Transistor de But, V CBO = -70V, V PDG = -60V, V EBO = 5V, je C = -10A | Comchip Technology |
881940 | MJE2955T | Transistor De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
881941 | MJE2955T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
881942 | MJE2955T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
881943 | MJE2955T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
881944 | MJE2955T | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881945 | MJE2955T | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE PNP AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
881946 | MJE2955T | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Wing Shing Computer Components |
881947 | MJE2955T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
881948 | MJE2955T | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
881949 | MJE2955T | Puissance 10A 60V PNP Discret | ON Semiconductor |
881950 | MJE2955T | 75.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 10.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
881951 | MJE2955T | V -70, -10 A, le transistor PNP de silicium | Samsung Electronic |
881952 | MJE2955T | PNP, le transistor de puissance plastique de silicium. Conçu pour la commutation d'usage général et de l'application de l'amplificateur. VCEO = 60 V cc, Vcb = 70Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 10 Adc, PD = 75W. | USHA India LTD |
881953 | MJE2955T-D | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | ON Semiconductor |
881954 | MJE2955TTU | Transistor De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
881955 | MJE3055 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Wing Shing Computer Components |
881956 | MJE3055 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
881957 | MJE3055 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
881958 | MJE3055T | Transistor De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
881959 | MJE3055T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
881960 | MJE3055T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
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