|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK1611 construit près: |
V (DSS): 800V; silicium à canal N Powe F-MOS FET. Pour la commutation à grande vitesse, haute fréquence pour l'amplification de puissance | Téléchargement 2SK1611 datasheet de Panasonic |
pdf 42 kb |
2SK1610 | Vue 2SK1611 à notre catalogue | 2SK1612 |