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2SK1611 Vorbei Hergestellt: |
V (DSS): 800V; Silizium N-Kanal-Powe F-MOS-FET. Für Hochgeschwindigkeits-Schalt, für Hochfrequenzleistungsverstärker | Download 2SK1611 datasheet von Panasonic |
pdf 42 kb |
2SK1610 | Ansicht 2SK1611 zu unserem Katalog | 2SK1612 |