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IRF530 construit près: |
N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | Téléchargement IRF530 datasheet de ON Semiconductor |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF531, IRF532, IRF533, |
Téléchargement IRF530 datasheet de General Electric Solid State |
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100 V, le transistor à effet de champ de puissance | Téléchargement IRF530 datasheet de TRANSYS Electronics Limited |
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TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Téléchargement IRF530 datasheet de Motorola |
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100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF530PBF, |
Téléchargement IRF530 datasheet de International Rectifier |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF530 datasheet de Samsung Electronic |
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TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF530FI, |
Téléchargement IRF530 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Â To-220 | Téléchargement IRF530 datasheet de ST Microelectronics |
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PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal | Téléchargement IRF530 datasheet de TRSYS |
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N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | Téléchargement IRF530 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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1Â, 100V, 0,160 Ohms, Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF530 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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IRF523 | Vue IRF530 à notre catalogue | IRF530-D |