 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF530 изготавливается путем: | 
|
 | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 188 kb |
 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 14А. Другие с той же файл данные: IRF531, IRF532, IRF533, |
скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
 | 100 V, поле власти транзистор | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от TRANSYS Electronics Limited |
pdf 463 kb |
 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 163 kb |
 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB Другие с той же файл данные: IRF530PBF, |
скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 181 kb |
 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL Другие с той же файл данные: IRF530FI, |
скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 14ЈA TO-220 НИЗКИЙ | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 281 kb |
 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от TRSYS |
pdf 462 kb |
| Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
 | 14ЈA, 100V, 0.160 Ома, MOSFETs Силы Н-Kanala | скачать IRF530 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 77 kb |
| IRF523 | Посмотреть IRF530 в наш каталог | IRF530-D |