|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 10329

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
1	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с присутсвием Detec spd серийным	Samsung Electronic
2	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с листом данным по spd	Samsung Electronic
3	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM с PLL & регистр основанный на штабелированном 128Mx4, REF 4Banks 8K, 3.3V SDRAMs с листом данным по spd	Samsung Electronic
4	16L102DA4	МОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙ	Samsung Electronic
5	16T202DA1J	МОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙ	Samsung Electronic
6	20S207DA4	МОДУЛЬ ИНДИКАЦИИ ВАКУУМА ДНЕВНОЙ	Samsung Electronic
7	256MBDDRSDRAM	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3	Samsung Electronic
8	2N3903	транзистор кремния npn эпитаксиальный	Samsung Electronic
9	2N3905	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
10	2N4123	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
11	2N4124	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
12	2N4125	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
13	2N4126	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
14	2N5086	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
15	2N5089	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
16	2N5210	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
17	2N5400	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
18	2N5401	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
19	2N5550	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
20	2N6427	УВЕЛИЧЕНИЕ DC ЭПИТАКСИАЛЬНОГО КРЕМНИЯ DARLINGTON TRANSISTOR(HIGH NPN В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ)	Samsung Electronic
21	2N6428	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
22	2N6428A	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
23	2N6516	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
24	2N6517	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
25	2N6518	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
26	2N6519	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
27	2N6520	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
28	62256	ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8 низкий	Samsung Electronic
29	B772	PNP (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СКОРОСТИ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ НИЗКОЕ)	Samsung Electronic
30	BCW30	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
31	BCW32	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
32	BCW33	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
33	BCW60A	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
34	BCW60B	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
35	BCW60C	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
36	BCW60D	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
37	BCW61A	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
38	BCW61B	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
39	BCW61C	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
40	BCW61D	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
41	BCW69	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
42	BCW70	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
43	BCW71	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
44	BCW72	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
45	BCX70G	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
46	BCX70H	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
47	BCX70J	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
48	BCX70K	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic
49	BCX71G	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
50	BCX71H	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
51	BCX71J	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
52	BCX71K	ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ	Samsung Electronic
53	BL8531H	12 Бит 10MSPS Adc	Samsung Electronic
54	BL8531H-ADC	12 Бит 10MSPS Adc	Samsung Electronic
55	BU406	400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзистор	Samsung Electronic
56	BU406H	400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзистор	Samsung Electronic
57	BU407	ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX	Samsung Electronic

58	BU407H	330 V, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзистор	Samsung Electronic
59	BU408	400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзистор	Samsung Electronic
60	BU806	400, 8, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор Дарлингтона	Samsung Electronic
61	BU807	400, 8, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор Дарлингтона	Samsung Electronic
62	C9658	MICROCONTROLLER	Samsung Electronic
63	CL10B224	Разнослоистые Керамические Конденсаторы	Samsung Electronic
64	CL21C220	Разнослоистые Керамические Конденсаторы	Samsung Electronic
65	CM-1429	Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
66	CM-1829	Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
67	CM1419	8-2 Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
68	CM1429	8-2 Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
69	CM1819	8-2 Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
70	CM1829	8-2 Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
71	CM1829-1429	Принципиальнаяа схема P.c.b	Samsung Electronic
72	CMOS DRAM	Режим EDO, диаграмма приспособления x4 и x8 приурочивая	Samsung Electronic
73	CMOS SDRAM	Деятельности Приспособления Cmos SDRAM	Samsung Electronic
74	CW5322X	SDH104	Samsung Electronic
75	DA22497	ЦЕПЬ ПЕРЕДНЕГО КОНЦА FM ДЛЯ РАДИОИХ	Samsung Electronic
76	DA22497D	ЦЕПЬ ПЕРЕДНЕГО КОНЦА FM ДЛЯ РАДИОИХ	Samsung Electronic
77	DDRSDRAM	Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM	Samsung Electronic
78	DDRSDRAM1111	Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM	Samsung Electronic
79	DIRECT RDRAM	Сразу RDRAM. Деятельность Приспособления	Samsung Electronic
80	DS_K1S161611A	памяти случайного доступа Уни-Tranzistora бита 1Mx16	Samsung Electronic
81	DS_K1S16161CA	памяти случайного доступа Уни-Tranzistora режима страницы бита 1Mx16	Samsung Electronic
82	DS_K4D263238D	1M x 32Bit x 4 крена удваивает DRAM тарифа данных одновременный с bi-directional стробом данных и dll	Samsung Electronic
83	DS_K4S161622D	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
84	DS_K4S161622E	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
85	DS_K6F1016U4C	ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 64K x16 и низкого напряжения тока полный	Samsung Electronic
86	DS_K6F2008U2E	ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 256Kx8 и низкого напряжения тока полный	Samsung Electronic
87	DS_K6F2016U4E	ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128K x16 и низкого напряжения тока полный	Samsung Electronic
88	DS_K6F3216T6M	ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита x16 2M и низкого напряжения тока полный	Samsung Electronic
89	DS_K6F4016U6G	ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 256Kx16 и низкого напряжения тока полный	Samsung Electronic
90	DS_K6F8016U6B	лист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер низкой силы бита 512K x16 и низкого напряжения тока полный статический	Samsung Electronic
91	DS_K6F8016U6C	лист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер низкой силы бита 512K x16 и низкого напряжения тока полный статический	Samsung Electronic
92	DS_K6X8008C2B	ШТОССЕЛЬ static cmos низкой силы бита 1Mx8 и низкого напряжения тока	Samsung Electronic
93	DS_K6X8008TBN	CMOS SRAM	Samsung Electronic
94	DS_K6X8016C3B	64Kx36 & 64Kx32-Bit Одновременный Прокладыванный трубопровод Взрыв SRAM	Samsung Electronic
95	DS_K7A803600B	256Kx36 & 512Kx18 Одновременное SRAM	Samsung Electronic
96	DS_K7B803625B	256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный Взрыв SRAM	Samsung Electronic
97	DS_K7M323625M	1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez NtRAM	Samsung Electronic
98	DS_K7M803625B	256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through NtRAM	Samsung Electronic
99	DS_K7N163601A	512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18 NtRAM	Samsung Electronic
100	DS_K7N323601M	1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit NtRAM	Samsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/