|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 10329

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
2301	K4S511633F-YC	8M х 16Bit x 4 крена передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2302	K4S511633F-YPC	8M х 16Bit x 4 крена передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2303	K4S51163PF-F1L	8M х 16Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2304	K4S51163PF-F90	8M х 16Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2305	K4S51163PF-Y	8M х 16Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2306	K4S51163PF-YF	8M х 16Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2307	K4S513233F	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2308	K4S513233F-F1H	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2309	K4S513233F-F1L	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2310	K4S513233F-F75	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2311	K4S513233F-L	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2312	K4S513233F-MC	Передвижное SDRAM	Samsung Electronic
2313	K4S51323L	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2314	K4S51323LF-F1H	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2315	K4S51323LF-F1L	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2316	K4S51323LF-F75	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2317	K4S51323LF-L	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2318	K4S51323LF-MC	4M х 32Bit x 4 крена передвижное SDRAM в 90FBGA	Samsung Electronic
2319	K4S51323P	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2320	K4S51323PF-MEF1L	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2321	K4S51323PF-MEF75	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2322	K4S51323PF-MEF90	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2323	K4S51323PF-MF1L	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2324	K4S51323PF-MF75	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2325	K4S51323PF-MF90	4M х 32Bit x 4 крена Peredvijnogo-SDRAM	Samsung Electronic
2326	K4S560432A	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2327	K4S560432A-TC/L1H	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2328	K4S560432A-TC/L1L	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2329	K4S560432A-TC/L75	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2330	K4S560432A-TC/L80	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2331	K4S560432B	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2332	K4S560432B-TC/L1H	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2333	K4S560432B-TC/L1L	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2334	K4S560432B-TC/L75	256Mbit SDRAM 16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2335	K4S560432D	16M х 4Bit x лист 4 данным по DRAM кренов одновременный	Samsung Electronic
2336	K4S560432D-NC1H	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2337	K4S560432D-NC1L	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2338	K4S560432D-NC75	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2339	K4S560432D-NC7C	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2340	K4S560432D-NL1H	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2341	K4S560432D-NL1L	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2342	K4S560432D-NL75	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2343	K4S560432D-NL7C	256Mbit SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2344	K4S560432D-TC1H	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2345	K4S560432D-TC1L	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2346	K4S560432D-TC75	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2347	K4S560432D-TC7C	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2348	K4S560432D-TL1H	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2349	K4S560432D-TL1L	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2350	K4S560432D-TL75	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2351	K4S560432D-TL7C	16M х 4bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2352	K4S560432E-NC	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2353	K4S560432E-NC(L)75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2354	K4S560432E-NC75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2355	K4S560432E-NCL75	64M х 4 SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2356	K4S560432E-NL75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2357	K4S560432E-TC	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2358	K4S560432E-TC75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2359	K4S560432E-TCL75	64M х 4 SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic

2360	K4S560432E-TL75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2361	K4S560432E-UC	256Mb Е-umiraht спецификация 54 TSOP-II SDRAM с Пб-Svobodno (RoHS уступчивое)	Samsung Electronic
2362	K4S560432E-UC75	256Mb Е-umiraht спецификация 54 TSOP-II SDRAM с Пб-Svobodno (RoHS уступчивое)	Samsung Electronic
2363	K4S560432E-UL75	256Mb Е-umiraht спецификация 54 TSOP-II SDRAM с Пб-Svobodno (RoHS уступчивое)	Samsung Electronic
2364	K4S560832A	8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2365	K4S560832A-TC/L1H	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2366	K4S560832A-TC/L1L	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2367	K4S560832A-TC/L75	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2368	K4S560832A-TC/L80	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2369	K4S560832B	8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2370	K4S560832B-TC/L1H	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2371	K4S560832B-TC/L1L	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2372	K4S560832B-TC/L75	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2373	K4S560832C	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2374	K4S560832C-TC/L1H	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2375	K4S560832C-TC/L1L	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2376	K4S560832C-TC/L75	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2377	K4S560832C-TC/L7C	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2378	K4S560832D	8M х 8Bit x лист 4 данным по DRAM кренов одновременный	Samsung Electronic
2379	K4S560832D-NC_L1H	8M х 8bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL, 100 МГц	Samsung Electronic
2380	K4S560832D-NC_L1L	8M х 8bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL, 100 МГц	Samsung Electronic
2381	K4S560832D-NC_L75	8M х 8bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL, 133	Samsung Electronic
2382	K4S560832D-NC_L7C	8M х 8bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL, 133	Samsung Electronic
2383	K4S560832D-TC/L1H	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2384	K4S560832D-TC/L1L	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2385	K4S560832D-TC/L75	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2386	K4S560832D-TC/L7C	256Mbit SDRAM 8M х 8bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2387	K4S560832E-NC(L)75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2388	K4S560832E-NC75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2389	K4S560832E-NCL75	32M х 8 SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2390	K4S560832E-NL75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2391	K4S560832E-TC75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2392	K4S560832E-TCL75	32M х 8 SDRAM, LVTTL, 133	Samsung Electronic
2393	K4S560832E-TL75	256Mb Е-umiraht sTSOP-II спецификации 54pin SDRAM	Samsung Electronic
2394	K4S560832E-UC75	256Mb Е-umiraht спецификация 54 TSOP-II SDRAM с Пб-Svobodno (RoHS уступчивое)	Samsung Electronic
2395	K4S560832E-UL75	256Mb Е-umiraht спецификация 54 TSOP-II SDRAM с Пб-Svobodno (RoHS уступчивое)	Samsung Electronic
2396	K4S561632A	4M х 16bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2397	K4S561632A-TC/L1H	256Mbit SDRAM 4M х 16bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2398	K4S561632A-TC/L1L	256Mbit SDRAM 4M х 16bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2399	K4S561632A-TC/L75	256Mbit SDRAM 4M х 16bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic
2400	K4S561632A-TC/L80	256Mbit SDRAM 4M х 16bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременный	Samsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/