Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
601 | K4E171611D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
602 | K4E171612D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
603 | K4E171612D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
604 | K4E171612D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
605 | K4E640412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
606 | K4E640412D-JC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
607 | K4E640412D-TC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
608 | K4E640812B | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
609 | K4E640812B-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
610 | K4E640812B-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
611 | K4E640812B-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
612 | K4E640812B-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
613 | K4E640812B-JCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
614 | K4E640812B-JCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
615 | K4E640812B-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
616 | K4E640812B-TC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
617 | K4E640812B-TC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
618 | K4E640812B-TCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
619 | K4E640812B-TCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
620 | K4E640812B-TCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
621 | K4E640812C | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
622 | K4E640812C-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
623 | K4E640812C-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
624 | K4E640812C-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
625 | K4E640812C-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
626 | K4E640812C-JCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
627 | K4E640812C-JCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
628 | K4E640812C-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
629 | K4E640812C-TC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
630 | K4E640812C-TC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
631 | K4E640812C-TCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
632 | K4E640812C-TCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
633 | K4E640812C-TCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
634 | K4E640812E | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
635 | K4E640812E-JC/L | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
636 | K4E640812E-TC/L | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
637 | K4E641612B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
638 | K4E641612B-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
639 | K4E641612B-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
640 | K4E641612B-TC45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
641 | K4E641612B-TC50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
642 | K4E641612B-TC60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
643 | K4E641612B-TL45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
644 | K4E641612B-TL50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
645 | K4E641612B-TL60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
646 | K4E641612C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
647 | K4E641612C-45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
648 | K4E641612C-50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
649 | K4E641612C-60 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
650 | K4E641612C-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
651 | K4E641612C-T | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
652 | K4E641612C-T45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
653 | K4E641612C-T50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
654 | K4E641612C-T60 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
655 | K4E641612C-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
656 | K4E641612C-TC45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
657 | K4E641612C-TC50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
658 | K4E641612C-TC60 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
659 | K4E641612C-TL45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
660 | K4E641612C-TL50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
661 | K4E641612C-TL60 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
662 | K4E641612D | DRAM CMOS | Samsung Electronic |
663 | K4E660411D, K4E640411D | ШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический
с выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
664 | K4E660412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
665 | K4E660412D, K4E640412D | ШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический
с выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
666 | K4E660412D, K4E640412D | ШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический
с выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
667 | K4E660412D-JC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
668 | K4E660412D-TC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
669 | K4E660412E, K4E640412E | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
670 | K4E660412E, K4E640412E | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
671 | K4E660811D, K4E640811D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
672 | K4E660812B | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
673 | K4E660812B-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
674 | K4E660812B-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
675 | K4E660812B-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
676 | K4E660812B-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
677 | K4E660812B-JCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
678 | K4E660812B-JCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
679 | K4E660812B-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
680 | K4E660812B-TC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
681 | K4E660812B-TC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
682 | K4E660812B-TCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
683 | K4E660812B-TCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
684 | K4E660812B-TCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
685 | K4E660812C | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
686 | K4E660812C-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
687 | K4E660812C-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
688 | K4E660812C-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
689 | K4E660812C-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
690 | K4E660812C-JCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
691 | K4E660812C-JCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
692 | K4E660812C-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
693 | K4E660812C-TC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
694 | K4E660812C-TC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
695 | K4E660812C-TCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
696 | K4E660812C-TCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
697 | K4E660812C-TCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
698 | K4E660812D, K4E640812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
699 | K4E660812D, K4E640812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
700 | K4E660812E | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
| | | |