|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
601K4E171611D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
602K4E171612DШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
603K4E171612D-J1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
604K4E171612D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
605K4E640412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
606K4E640412D-JC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
607K4E640412D-TC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
608K4E640812BШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
609K4E640812B-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610K4E640812B-JC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
611K4E640812B-JC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
612K4E640812B-JCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
613K4E640812B-JCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
614K4E640812B-JCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
615K4E640812B-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
616K4E640812B-TC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
617K4E640812B-TC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
618K4E640812B-TCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
619K4E640812B-TCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
620K4E640812B-TCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
621K4E640812CШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
622K4E640812C-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
623K4E640812C-JC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
624K4E640812C-JC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
625K4E640812C-JCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
626K4E640812C-JCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
627K4E640812C-JCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
628K4E640812C-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
629K4E640812C-TC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
630K4E640812C-TC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
631K4E640812C-TCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
632K4E640812C-TCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
633K4E640812C-TCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
634K4E640812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
635K4E640812E-JC/LШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
636K4E640812E-TC/LШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
637K4E641612BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
638K4E641612B-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
639K4E641612B-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
640K4E641612B-TC454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
641K4E641612B-TC504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
642K4E641612B-TC604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
643K4E641612B-TL454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
644K4E641612B-TL504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
645K4E641612B-TL604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
646K4E641612CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
647K4E641612C-45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
648K4E641612C-50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
649K4E641612C-60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
650K4E641612C-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
651K4E641612C-TШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
652K4E641612C-T45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
653K4E641612C-T50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
654K4E641612C-T60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
655K4E641612C-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
656K4E641612C-TC45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
657K4E641612C-TC50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic



658K4E641612C-TC60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
659K4E641612C-TL45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
660K4E641612C-TL50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
661K4E641612C-TL60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
662K4E641612DDRAM CMOSSamsung Electronic
663K4E660411D, K4E640411DШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
664K4E660412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
665K4E660412D, K4E640412DШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
666K4E660412D, K4E640412DШТОССЕЛЬ 16MB х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
667K4E660412D-JC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
668K4E660412D-TC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
669K4E660412E, K4E640412EШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
670K4E660412E, K4E640412EШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
671K4E660811D, K4E640811DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
672K4E660812BШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
673K4E660812B-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
674K4E660812B-JC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
675K4E660812B-JC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
676K4E660812B-JCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
677K4E660812B-JCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
678K4E660812B-JCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
679K4E660812B-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
680K4E660812B-TC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
681K4E660812B-TC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
682K4E660812B-TCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
683K4E660812B-TCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
684K4E660812B-TCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
685K4E660812CШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
686K4E660812C-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
687K4E660812C-JC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
688K4E660812C-JC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
689K4E660812C-JCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
690K4E660812C-JCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
691K4E660812C-JCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
692K4E660812C-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
693K4E660812C-TC-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
694K4E660812C-TC-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
695K4E660812C-TCL-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
696K4E660812C-TCL-58M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
697K4E660812C-TCL-68M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
698K4E660812D, K4E640812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
699K4E660812D, K4E640812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
700K4E660812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/