![]() |
|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2N5210 изготавливается путем: | ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() | Кремний Transistors(NPN Усилителя) Другие с той же файл данные: 2N5209, |
скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
pdf 282 kb |
![]() | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от Samsung Electronic |
pdf 39 kb |
![]() | Освинцованное Малое General purpose Транзистора Сигнала | скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от Central Semiconductor |
pdf 75 kb |
![]() | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначения | скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 95 kb |
![]() | ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ NPN МАЛЫЕ | скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от Micro Electronics |
pdf 153 kb |
![]() | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 50V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (мак | скачать 2N5210 лист данных ( datasheet ) от USHA India LTD |
pdf 50 kb |
2N5209RLRE | Посмотреть 2N5210 в наш каталог | 2N5210BU |