|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2N4125 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства Central SemiconductorОсвинцованное Малое General purpose Транзистора Сигнала

Другие с той же файл данные:
2N4124, 2N4126, 2N4123,
скачать 2N4125 лист данных ( datasheet ) от
Central Semiconductor
pdf
85 kb
Информация для частей производства General Electric Solid StatePlanar эпитаксиальных пассивированы PNP кремниевого транзистора. -30V, 200 мА. скачать 2N4125 лист данных ( datasheet ) от
General Electric Solid State
pdf
179 kb
Информация для частей производства USHA India LTDТранзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -30V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -30V. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (ма скачать 2N4125 лист данных ( datasheet ) от
USHA India LTD
pdf
50 kb
Информация для частей производства Samsung ElectronicТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ скачать 2N4125 лист данных ( datasheet ) от
Samsung Electronic
pdf
36 kb
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначения скачать 2N4125 лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
323 kb
2N4124_J18ZПосмотреть 2N4125 в наш каталог2N4125BU



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com