| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 46121 | 2N4123TAR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46122 | 2N4123TF | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46123 | 2N4123TFR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46124 | 2N4124 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46125 | 2N4124 | Малый Транзистор Сигнала (NPN) | Vishay |
| 46126 | 2N4124 | Малые Транзисторы Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
| 46127 | 2N4124 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
| 46128 | 2N4124 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 46129 | 2N4124 | Транзистор 625mW Кремния NPN Общего
назначения | Micro Commercial Components |
| 46130 | 2N4124 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 46131 | 2N4124 | Общего назначения Транзистор - NPN | ON Semiconductor |
| 46132 | 2N4124 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | Samsung Electronic |
| 46133 | 2N4124 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА NPN МАЛЫЙ | TRSYS |
| 46134 | 2N4124 | Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 25V, 200 мА. | General Electric Solid State |
| 46135 | 2N4124 | Ic = 200 мА, Vce = 1,0 транзистор | MCC |
| 46136 | 2N4124 | 25 V, NPN малого сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 46137 | 2N4124 | Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 25V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 30В = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: П | USHA India LTD |
| 46138 | 2N4124BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46139 | 2N4124TA | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46140 | 2N4124TAR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46141 | 2N4124TF | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46142 | 2N4124TFR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46143 | 2N4124_J18Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46144 | 2N4125 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46145 | 2N4125 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 46146 | 2N4125 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Samsung Electronic |
| 46147 | 2N4125 | Planar эпитаксиальных пассивированы PNP кремниевого транзистора. -30V, 200 мА. | General Electric Solid State |
| 46148 | 2N4125 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -30V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -30V. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (ма | USHA India LTD |
| 46149 | 2N4125BU | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46150 | 2N4125TA | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46151 | 2N4125TAR | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46152 | 2N4125TF | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46153 | 2N4125TFR | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46154 | 2N4126 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46155 | 2N4126 | Малый Транзистор Сигнала (PNP) | Vishay |
| 46156 | 2N4126 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
| 46157 | 2N4126 | Транзистор general purpose PNP;
Транзистор резистор-oborudovanny1 NPN | Philips |
| 46158 | 2N4126 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 46159 | 2N4126 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Samsung Electronic |
| 46160 | 2N4126 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА PNP МАЛЫЙ | TRSYS |
| | | |
