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ND5111-3G construit près: |
4 V, GaAs diode à barrière de Schottky épitaxiale D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: ND5113-5F, ND5114-5F, ND5114-3G, ND5051-3G, ND5113-3G, |
Téléchargement ND5111-3G datasheet de NEC |
pdf 155 kb |
ND5052-3G | Vue ND5111-3G à notre catalogue | ND5112-3G |