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STPSC6H12 construit près: |
Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 1,200 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STPSC6H12B-TR1, |
Téléchargement STPSC6H12 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 225 kb |
STPSC6H065G-TR | Vue STPSC6H12 à notre catalogue | STPSC6H12B-TR1 |