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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
3701CMOZ9V1ULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
3702CMPD1001HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3703CMPD1001AHOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3704CMPD1001SHOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3705CMPD200Verbleite Zener Diode StabistorCentral Semiconductor
3706CMPD2003OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3707CMPD2003HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3708CMPD2003-1OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3709CMPD2003ASMD Schaltung Diode Doppel: Hochspannung: Allgemeine AnodeCentral Semiconductor
3710CMPD2003COBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor



3711CMPD2003SOBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3712CMPD2004HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3713CMPD2004OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3714CMPD2004ASMD Schaltung Diode Doppel: Hochspannung: Allgemeine AnodeCentral Semiconductor
3715CMPD2004COBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3716CMPD2004SOBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3717CMPD2004SHOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3718CMPD2005SSMD Schaltung Diode Doppel: Hochspannung: In der ReiheCentral Semiconductor
3719CMPD2836OBERFLÄCHENEINFASSUNG DOPPEL, SILIKON-SCHALTUNG DIODENCentral Semiconductor
3720CMPD2836ESMD Schaltung Diode Doppel: Allgemeine AnodeCentral Semiconductor
3721CMPD2838OBERFLÄCHENEINFASSUNG DOPPEL, SILIKON-SCHALTUNG DIODENCentral Semiconductor
3722CMPD2838ESMD Schaltung Diode Doppel: Allgemeine KathodeCentral Semiconductor
3723CMPD300Verbleite Zener Diode StabistorCentral Semiconductor
3724CMPD3003CURFACE EINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3725CMPD3003ACURFACE EINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3726CMPD3003CCURFACE EINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3727CMPD3003SCURFACE EINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3728CMPD400Verbleite Zener Diode StabistorCentral Semiconductor
3729CMPD4150hohes gegenwärtiges Schnellschaltung diodeHIGH GEGENWÄRTIGE Schnellschaltung DIODECentral Semiconductor
3730CMPD4448SCHNELLSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3731CMPD4480High-Speed ??SchaltdiodeCentral Semiconductor
3732CMPD5001HOHE GEGENWÄRTIGE INDUKTIVE BELASTUNG SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3733CMPD5001SHOHE GEGENWÄRTIGE INDUKTIVE BELASTUNG SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3734CMPD6001OBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3735CMPD6001AOBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3736CMPD6001COBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3737CMPD6001SOBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3738CMPD6263SCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3739CMPD6263ASCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3740CMPD6263CSCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3741CMPD6263SSCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3742CMPD7000DOPPELSILIKON-SCHALTUNG DIODE HINTEREINANDERSCHALTUNGCentral Semiconductor
3743CMPD7000ESMD Schaltung Diode Doppel: In der ReiheCentral Semiconductor
3744CMPD7006SMD Schaltung Diode Einzeln: HochspannungCentral Semiconductor
3745CMPD7006ASMD Schaltung Diode Doppel: Allgemeine AnodeCentral Semiconductor
3746CMPD7006CSMD Schaltung Diode Doppel: Allgemeine KathodeCentral Semiconductor
3747CMPD7006SSMD Schaltung Diode Doppel: In der ReiheCentral Semiconductor
3748CMPD914SCHNELLSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
3749CMPD914ESMD Schaltung Diode EinzelnCentral Semiconductor
3750CMPDM7002AN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE OBERFLÄCHE EINFASSUNG MOSFETCentral Semiconductor
3751CMPF4391N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3752CMPF4392N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3753CMPF4393N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3754CMPF4416ASILIKON N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3755CMPF5484N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3756CMPF5485N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3757CMPF5486N-CHANNEL JFETCentral Semiconductor
3758CMPP6027SMD Programmierbares UJTCentral Semiconductor
3759CMPP6028SMD Programmierbares UJTCentral Semiconductor
3760CMPS5061OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON-KONTROLLIERTER GLEICHRICHTERCentral Semiconductor
3761CMPS5062OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON-KONTROLLIERTER GLEICHRICHTERCentral Semiconductor
3762CMPS5063OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON-KONTROLLIERTER GLEICHRICHTERCentral Semiconductor
3763CMPS5064OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON-KONTROLLIERTER GLEICHRICHTERCentral Semiconductor
3764CMPSH-3SCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3765CMPSH-3ASCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3766CMPSH-3AESMD Schottky Diode Doppel: Stark Gegenwärtig: Allgemeine AnodeCentral Semiconductor
3767CMPSH-3CSCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3768CMPSH-3CESMD Schottky Diode Doppel: Stark Gegenwärtig: Allgemeine KathodeCentral Semiconductor
3769CMPSH-3ESMD Schottky Diode Einzeln: Stark GegenwärtigCentral Semiconductor
3770CMPSH-3SSCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
3771CMPSH-3SESMD Schottky Diode Doppel: Stark Gegenwärtig: In der ReiheCentral Semiconductor
3772CMPSH05-4SMD Schottky Diode EinzelnCentral Semiconductor
3773CMPSH05-4CSMD Schottky Diode Doppel: Allgemeine KathodeCentral Semiconductor
3774CMPSH1-4OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOHER GEGENWÄRTIGER SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTERCentral Semiconductor
3775CMPT2222NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3776CMPT2222ANPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3777CMPT2222AESMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-PNPCentral Semiconductor
3778CMPT2369NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3779CMPT2484NPN SILIKON-NIEDRIGER GERÄUSCH-TRANSISTORCentral Semiconductor
3780CMPT2907APNP SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3781CMPT2907AESMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-PNPCentral Semiconductor
3782CMPT3019NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3783CMPT3090LOBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGER VCE(SAT) NPN ENERGIE TRANSISTORCentral Semiconductor
3784CMPT3640PNP SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3785CMPT3646NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3786CMPT3649NPN Silikon-TransistorCentral Semiconductor
3787CMPT3904ERGÄNZENDE SILIKON-TRANSISTORENCentral Semiconductor
3788CMPT3904ESMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-NPNCentral Semiconductor
3789CMPT3906ERGÄNZENDE SILIKON-TRANSISTORENCentral Semiconductor
3790CMPT3906ESMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-PNPCentral Semiconductor
3791CMPT4033PNP SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3792CMPT404ASMD Kleiner Zerhacker Des Signal-Transistor-PNPCentral Semiconductor
3793CMPT4401SMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-NPNCentral Semiconductor
3794CMPT4401NPNERGÄNZENDE SILIKON-TRANSISTORENCentral Semiconductor
3795CMPT4403SMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-PNPCentral Semiconductor
3796CMPT4403PNPERGÄNZENDE SILIKON-TRANSISTORENCentral Semiconductor
3797CMPT491EOBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3798CMPT5086PNP SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3799CMPT5087PNP SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
3800CMPT5088OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-TRANSISTORENCentral Semiconductor



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