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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| BU208D Vorbei Hergestellt: | 
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 | NPN, Horizontalablenkung Transistor mit integriertem Dämpfungsdiode. Vceo = 700 Vdc, Vces = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 60W. | Download BU208D datasheet von USHA India LTD |
pdf 51 kb |
 | ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BU508DFI, |
Download BU208D datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 80 kb |
 | ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | Download BU208D datasheet von ST Microelectronics |
pdf 86 kb |
 | SILIKON ZERSTREUTE ENERGIE TRANSISTOR(GENERAL BESCHREIBUNG) | Download BU208D datasheet von Wing Shing Computer Components |
pdf 196 kb |
 | 60.000W General Purpose NPN Metall kann Transistor. 700V Vceo, 5.000A Ic, 2 hFE. | Download BU208D datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 200 kb |
| BU208A-D | Ansicht BU208D zu unserem Katalog | BU2090 |